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陳燕儒 解文浩 鄭志揚 指導老師：葉義生 目錄 薄膜沈積（ Thin Film Deposition ） 薄膜沈積機制 化學氣相沈積（CVD） CVD原理 CVD反應機制 CVD的種類與比較 電漿輔助化學氣相沈積系統（ PECVD ） 薄膜沈積(Thin Film Deposition) 何謂薄膜沈積： 　在機械工業、電子工業或半導體工業領域，為了對所使用的材料賦與某種特性在材料表面上以各種方法形成被膜（一層薄膜），假如此被膜經由原子層的過程所形成時，一般將此等薄膜沈積稱為蒸鍍（蒸著）處理，以原子或分子的層次控制蒸鍍粒子使其形成被膜，因此可以得到以熱平衡狀態無法得到的具有特殊構造及功能的被膜。 薄膜沈積(Thin Film Deposition) 薄膜沈積依據沈積過程中，是否含有化學反應的機制，可以區分為物理氣相沈積（Physical Vapor Deposition，簡稱PVD）通常稱為物理蒸鍍及化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）通常稱為化學蒸鍍。 薄膜沈積機制 圖為薄膜成長機制的說明圖。圖中首先到達基板的原子必須將縱向動量發散，原子才能『吸附』在基板上。這些原子會在基板表面發生形成薄膜所須要的化學反應。所形成的薄膜構成原子會在基板表面作擴散運動，這個現象稱為吸附原子的『表面遷徙』。 化學氣相沈積（C