带栅极定位镀膜硅微尖锥阵列研制及其场发射特性研究.pdf

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 带栅极定位镀膜硅微尖锥阵列研制及其场 发射特性研究 余峻聪，何浩，邓少芝，陈军，许宁生 光电材料与技术国家重点实验室，显示材料与技术广东省重点实验室 中山大学，广州，510275 摘要：本文介绍了制备带栅极定位镀膜(类金刚石薄膜)硅微尖锥阵列的技术，并对面积 1111112、40×40 为0．25 DLC薄膜的硅微尖锥阵列的样品进行了场发射特性测试，在栅极电压 为200V时获得0．23A／cm2的发射电流密度。 引言 冷阴极在真空微电子器件中有着广泛应用，例如行波管、离子发动机、电子显微镜、 电子束平行刻蚀等器件与系统中，冷阴极性能制约它们的工作性能。硅微尖锥和类金刚石 (Diamond—Like Carbon，DLC)薄膜是主要冷阴极材料。但是，单纯利用硅微尖锥制作尖 针型冷阴极或利用DLC薄膜制作的薄膜型冷阴极，存在性能不稳定或驱动电压较高的问题。 因此，利用上述两种冷阴极材料的性能优势，研制覆盖DLC薄膜的硅微尖锥冷阴极是一种 获得高性能冷阴极的一种途径。在我们的工作中，研究了带栅极定位镀DLC薄膜的硅微尖 锥阵列的制作技术，并对带栅极定位镀DLC薄膜的硅微尖锥阵列进行了场发射特性测试。 实验流程 0 Q·cm)。 实验使用的是晶向为10的2英寸n型单晶硅(电阻率为2．4～3．7×10。3 首先利用常规光刻工艺将掩模板上的图形转换到硅片上，接着用磁控溅射的方法在完成光 刻的硅片上沉积约0．2朋的铝，然后利用1ift—off工艺得到铝点的掩模。然后用ICP (inductive coupledplasma)进行硅微尖锥的刻蚀。我们采用SF6和0z的混合气体对硅 进行各向同性的刻蚀，不同的气体配比及气压可以获得不同的尖锥形貌。经过多次实验， 我们发现当SF6和02的流量分别为30sccm和15sccm，气压在8mTorr时，RF和ICP的 nm的尖锥 功率分别为50w和750W时，可以获得顶端开角约30。，曲率半径约30～50 形貌(图1)。接着将硅微尖锥在1000℃进行120分钟的干氧氧化，经过7：1的BHF浸泡 后，可以得到曲率半径约为10～20nm硅尖(图2)。然后利用一种自对准的方法…，用磁 过滤真空弧在尖锥顶端镀上一层均匀的DLC薄膜，薄膜厚度约20nm。在镀膜前，我们对硅 尖表面进行了BHF和H。等离子体处理，以清除硅表面的自然氧化层。接着利用PECVD和磁 控溅射的方法分别沉积约O．6朋厚的SiO。和0．2朋的cr，分别作为绝缘层和栅极。绝 缘层厚度不宜太薄或太厚，太薄易被击穿，太厚在沉积时应力过大容易出现裂纹。实验表 V。最后利用自对准的方法开出栅孔， 明，当绝缘层厚度为0．6聊时，其击穿电压超过300 完成栅极连线图形(Bondingpad)的套刻，实现带栅极定位镀膜(DLC薄膜)硅微尖锥阵 列的制作。 特性测试与结果 我们测试了面积为0．25m《的40×40的定位镀膜硅微尖锥阵列样品(图3)。场发射 mm， 特性的测试是在一个超高真空(101Pa)系统中进行的。测试时，阳极与样品间距为0．3 ．481— 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 阳极电压为3kV。同时，我们在测试电路中串联了一个1MQ的保护电阻。场发射电流通 过一个微安表来监视。图4所示的是测试样品的I-V特性曲线，插图是由I—V曲线得到的 F—N曲线。结果表明，阵列的开启电压为50V。从图中可以看出，当栅极电压为200V时， 从40X40的阵列上可获得高达0．23A／cm2的发射电流密度。 图1完成千法刻蚀的硅微