快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 快速热处理对重掺As硅单晶中 氧沉淀的影响 孙世龙刘彩池郝秋艳滕晓云赵丽伟赵彦桥王立建石义情 (河北工业大学信息功能材料研究所，天津300130) 摘要：对重掺As硅片进行快速热处理，发现快速热处理对重掺As硅片中氧沉淀行为有 一定的影响。随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长，氧沉淀的 密度缓慢增大。 关键字：重掺As硅片，快速热处理，氧沉淀，清洁区 1引言 大规模、超大规模集成电路及新型场控高频电力电子器件的发展，对重掺硅片的研究 逐渐深入，特别是重掺As硅片。在重掺As硅片中，随着掺杂浓度的升高，生成一个间隙 原子和空位所需的能量降低[1]，自间隙原子远离As原子，而空位和As原子却紧紧束缚 在一起[2]。 传统的内吸杂工艺，是通过高一低一高三步退火工艺在硅片内部形成氧沉淀，利用氧沉 淀及其诱生缺陷来吸除器件有源区的电活性杂质。但是传统的内吸杂热预算大，金属杂质 易扩散，使结变浅，且受初始氧含量、热历史、硅片的质量等因素的影响较大，已经不能 thermal 完全满足器件工艺的要求。快速热处理(Rapid Process，RTP)是一种快速、可 靠、重复性高的退火工艺，成功地应用到轻掺杂硅片中，得到了理想的氧沉淀密度和清洁 区。本文将快速热处理引入到重掺As硅片的内吸杂中，研究快速热处理对重掺As硅片氧 沉淀的影响。快速热处理的基本原理[3，4]是利用高温激发的点缺陷问相互作用，使空位 在硅片体内由表面到体内按一定浓度分布。在随后的热处理中，空位和间隙氧结合，形成 V0。[5]复合体，这种复合体热稳定性好，降低了氧沉淀形成时需要克服的晶格应力[6]，可 以充当氧沉淀的异质成核核心，促进氧沉淀的形成。 本文从快速热处理的时间、快速热处理的温度和降温速度三个方面研究了快速热 处理对重掺As硅片中氧沉淀的影响。 2实验过程 实验中使用的重掺As硅片初始氧含量为(24—38)ppm，晶向为11l，电阻率为 0．001-0．005Q·cm，厚度为675u 温16小时。另外比较了快速热处理和未经过快速热处理硅片中氧沉淀的差异，对相同参 微镜观察氧沉淀密度和清洁区宽度。 394- 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 3结果和讨论 3．1快速热处理温度对氧沉淀的影响 由图1是不同温度下快速热处理60s后样品解理面显微图片，可以清楚地看出在1200 ℃，快速热处理后硅片解理面未出现氧沉淀。但随着快速热处理温度的升高，氧沉淀逐渐 出现，氧沉淀的密度随着温度的升高缓慢增增加。这可以从氧沉淀形成过程解释：对硅片 进行快速热处理，点缺陷(空位和自间隙原子)以Frank原子对的形式产生，空位和自间 隙原子高温下同时向硅片表面扩散。由于空位的扩散系数低于自间隙原子的扩散系数，并 且一定温度下空位的平衡浓度高于自间隙原子的平衡浓度[7]，因此在随后的冷却过程中 剩余的空位被“冻结”在硅片中。随着RTP温度升高，空位的平衡浓度增大[7]，快速降 温过程中，更多的空位被“冻结”在硅片中，因此随着快速热处理温度的升高，空位浓度 增加，而氧沉淀形成是以空位为成核核心的，所以氧沉淀的密度也就随着空位浓度增大而 缓慢地增加。但是从总体上，氧沉淀的密度很低，这是因为As原子和空位V结合形成复 合体，空位的数量因为As的结合而减少[2]。在1200℃由于As原子的作用使空位对氧沉 淀的促进作用不是很明显，随着温度的升高，更多的空位产生，空位对氧沉淀的促进作用 逐渐表现出来。这就是图1中看到的在1240和1260℃，氧沉淀出现，并且随着温度的升 高，氧沉淀逐渐增加。 (a) (b) (C) 图1不同温度下快速热处理60s后样品解理面显微图片： (a)1200℃，(b)1240℃，(C)1260℃ 3．2快速热处理的降温速度对氧沉淀行为的影响 图2分别是1260℃，保温60s快速热处理后得到的