快速热处理辐照掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的红外吸收谱研究.pdfVIP

第26卷，第7期 光谱学与光谱分析 V01．26，No．7·pp41—42 2006年7月 and SpectroscopySpeetralAnalysis July，2006 快速热处理辐照掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的红外吸收谱研究 陈贵锋1，刘丽丽1，李养贤“，李兴华1，蔡莉莉1，宋守丽2，李永章3，陈东风3 1．河：ltI业大学材料学院，天津300130 z．石药集团维生药业石家庄有限公司，河北石家序050035 3．中国原子能科学院，北京102413 摘要研究了快速热处理(RTP)对快中子辐照掺氟直拉硅中氧沉淀的作用，对不同辐照剂量的样品先进 h 行的不同温度和降温速率的RTPt再将其与没有经历RTP的样品故人单管扩散炉中进行1100℃高温20 一步退火，保护气氛为氩气。利用常温傅里叶红外变换方法测量样品的间隙氧含量。利用低温傅里叶红外变 换方法研究样品中的氧沉淀，光学显微镜用来观察样品体内的缺陷形貌。实验发现，RTP不能改变氧沉淀 进程，但是低的降温速率有助于氮氧复合体及片状氧沉淀的生成。RTP温度越高，缺陷密度越低，清洁区越 宽。 主题词掺氮直拉单晶硅；快速热处理(RTP)红外吸收}中子辐照；氧沉淀 02 中围分类号：0657．3文献标识码：A 文章编号：1000-0593(2006)07—0041 在半导体器件制造工艺中，直拉单晶硅会经历各种不同 温度的热处理，过饱和间隙氧将和原生微缺陷(空位团，自 间隙硅原子等)、杂质原子等互相作用，形成氧沉淀。氧沉淀 对硅片的机械性能和器件的电学性能有重要的影响。随着大 规模集成电路的发展，研究氧沉淀对选择最佳工艺，改善材 (Itoi目；oH 料和器件质量，提高成品率，降低成本，有着重要意义。近 年来。对直拉单晶硅中氧沉淀的研究引起了国内外学者的重 x一一Ⅷ0】 视。 本文研究了快中子辐照掺氮直拉单晶硅在快速热处理 (RTP)条件下的氧沉淀行为。利用傅里叶红外变换方法 (FTIR)，对经过不同温度、不同降温速率的RTP后再经历 RTP 20h initiaJlOil 1 100℃。20 the which at1 h退火后的不同辐照剂量的样品的间隙氧含量 n昏1[0j]of 280℃ samplespretreated 以及低温特征吸收谱进行了研究。 用HIR检测样品中的间隙氧含量，利用低温红外技术温长时间退火后的间隙氧含量最低，这与未经RTP的样品 (20 280℃ K)获得样品的精细吸收谱。图1给出了样品经1 有着一样的规律。说明RTP不能改变辐照对氧沉淀生成的 RTP后的间隙氧变化，经历1 280℃RTP后，未辐照的A0 促进作用。图2给出了A2样品在不同阶段的间隙氧含量变 样品间隙氧含量稍有下降，而辐照样品的间隙氧含量均有不 化情况。可见．RTP未能改变氧沉淀的进程。退火温度和降 同程度的上升，辐照剂量最大的A3样品问隙氧含量上升最 温速率对1100℃退火后的间隙氧含量没有影响。图3是经 多，A2次之，A1最小。说明经RTP后，随着辐照剂量的增