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中国电子学会敏感技术分会第十二届电压敏学术年会论文专刊
徐宇兴1，唐子龙1，张中太1，罗绍华1，张显友2
1．清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京，100084
2．哈尔滨理工大学材料科学与工程学院，哈尔滨，150080
掺杂或Y和Nb共掺时对压敏陶瓷结构和性能的影响。结果表明，在其他条件不变的情况下，当
a=13．6，￡1=-2．8X105，tan8=0．103。
关键词：(sr，Ba，Ca)TiO，基压敏陶瓷施主掺杂结构电性能
中图类号：TM283 文献标识码：A
1引言
来，因其具有良好的压敏特性、大的电容器优良的介电性能，而且还表现出较高电容量和小的
漏电流，与Zn0压敏电阻相比较，有更好的抑制交流干扰和陡峭脉冲前沿的能力，具有优越的功
能特性和广泛的研究价值，因而受到人们的广泛关注¨。1。在SrTiO，基压敏陶瓷的制备过程中，
施主掺杂至关重要，其目的是降低压敏陶瓷晶粒的电阻率，使其充分半导化一方面，半导化程
杂形式，加入施主杂质后按比例称方面，晶粒电阻率的降低将有利于由高阻态量配料，经湿法
a’
球磨6h，烘干，过筛，预烧向低阻态的非线性突变，可增强伏安非线性后，首先合成了以(sr，B
入受主杂这既影响到材料的电容特性，同时又影响到质了材料的压敏特性‘617。。近几年来，国
直gSung—Yoon“，Seong—Ho
(s
了Y、Nb分别掺杂或等摩尔Y和Nb共掺时对压敏陶瓷结构和性能的影响，并取得了较好的实验
结果，所制备的压敏陶瓷材料不仅具有晶界层电容器优良的介电性能，而且还表现出较高的压
敏非线性，具有广阔的应用前景。
一18
中国电子学会敏感技术分会第十二届电压敏学术年会论文专刊
2实验
2．1样品的制备
Y：O，分别掺杂形式，加入施主杂质后按比例称量配料，经湿法球磨6h，烘干，过筛，预烧后，
PVA选粒，在150
的样品在空气气氛中进行氧化热处理使晶界层绝缘化。所制备的压敏陶瓷除施主杂质的种类的
含量不同外，其他杂质含量及工艺参数均相同。
2．2样品测试
烧成后陶瓷样品的结构和表面微观形貌分别进行分析和观察。将氧化热处理后样品的两面烧渗
E测试其lkHz时
的表观介电常数8r及介电损耗咄s，卜述测试均在室温下进行。
3结果与讨论
3．1XRD结果分析
5
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