SOI材料的制备技术.pdfVIP

第 26 卷 　第 6 期 稀 　有 　金 　属 2002 年 11 月 Vol . 26 №. 6 　　　　　 　　　　　　 　　　　　　　　　　 CHIN ESE J OURNAL OF RARE METAL S November 2002 SOI 材料的制备技术 肖清华 , 屠海令 , 周旗钢 , 王 　敬 , 常 　青 , 张果虎 (北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司 , 北京 100088) 摘要 : SOI 材料被誉为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础 。它可消除或减轻体硅中的体效应 、寄生效应及小尺寸效应等 , 在超大规模集成 电路 、光电子等领域有广阔的应用前景 。介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备 SOI 材料的方法及近期相关 的研究成果 。降低制造成本 、提高材料质量以及获得足够薄的顶部硅层是近年来 SOI 材料制备技术改进的目标 。 关键词 : SOI ; 注氧隔离 ; 智能剥离 ; 硅片键合与减薄 ; 外延层转移 中图分类号 : TN304 1+ 2 　　文献标识码 : A 　　文章编号 : 0258 - 7076 (2002) 06 - 0460 - 08 　　SOI 材料 , 即绝缘体上硅材料 , 被国际上公认 ( 1 　蓝宝石上外延硅技术 Siliconon 为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础[ 1] 。它能 突破体硅材料的诸多限制 , 可有效消除MOS 电路 Sapp hire ,SOS) 中的闩锁效应 、减小漏源区的寄生电容 、易形成浅 　　SOS 技术是开发最早的绝缘体上长硅技术[3 ] 。 结 , 能有效抑制 MOS 器件的小尺寸效应 , 在航天 该方法是通过硅烷热分解在蓝宝石单晶抛光片上 领域 、光电子领域 , 以及微机械系统 、三维立体电 外延生长一层硅膜 。利用类似的技术 , 还获得其它 路 、混合电路等方面有广阔的应用前景 。此外 SOI 异质外延 SOI 材料 , 包括立方晶系氧化锆上生长 材料在深亚微米 UL SI 技术和低压低功耗电路中有 硅 、尖晶石上生长硅 、外延氟化钙上生长硅 、磷化 明显的优势和潜力 。预计在特征线宽 100 nm 的 硼上生长硅 、氮化铝上长硅 以及碳化硅上生长硅 集成 电路 中 SOI 材料有可能成为主流产 品 , 到 等 。由于硅和蓝宝石的晶格失配和热失配 , 长出的 2008 年 SOI 材料将 占硅片市场的 50 %以上 。 SOS 膜中存在压应力 , 缺陷密度高 , 产生堆垛层 第一个生长在绝缘体上的单晶硅薄膜材料于 错 、微孪晶等 , 并存在蓝宝石中铝的外扩散 自掺 60 年代初期得到 。80 年代后期 , SOI 的制备技术 杂 。随着固相外延和双固相外延等技术的引入 , 硅 有了突破性的进展 , 多种 SOI 制备方法被开发[2 ] 。 膜的质量得到大大改善[4 ,5 ] 。 SOI 材料的制备可以气相外延生长为基础 , 如蓝宝 这些异质外延 SOI 材料在应用时也会遇到一