电力电子期末复习范围讲义.docx

电力电子期末复习范围题型及分值：填空、判断、选择共20分 简答、分析题、计算题、画图题共80分 备注（范围仅供参考，具体考题以实际为准，从第九页开始带有猜测色彩）范围：简答题：电力电子器件为什么能够承受高电压和大电流？P15 答：1、电力二极管大都是垂直导电结构，垂直导电结构使得硅片中通过电流的有效面积增大，可以提高二极管的通流能力。 2、电力二极管在P区和N区之间多了一层低参杂N区，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。有源逆变的条件是什么？P84 答：1、要有直流电动势，其极性需和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流器直流侧的平均电压。 2、要求晶闸管的控制角απ/2，使Ud为负值。逆变多重化的目的是什么？P112 答：在逆变电路中，电压型电路输出的电压是矩形波；对电流型电路来说输出的电流也是矩形波。因矩形波中含有较多的谐波，会对负载产生不利的影响。为此，可采用多重逆变电路把几个矩形波组合起来，使输出电压更接近正弦波形。斩控式调压的优点是什么？P145答：电源电流i1的基波分量是和电源电压u1同相位的，即位移因素为1。另外，通过傅里叶分析可知，电源电流中不含低次谐波，只含和开关周期T有关的高次谐波。这些高次谐波可以滤除，这时电路的功率因数接近1。怎么用PWM波代替正弦波？P163答： 当Uc的频率较大时，单个三角波与Ur的两个交点近似在一条水平线上。 又因为是等腰三角形，所以图中两阴影三角形相似。 他们的高在正弦Ur 上，所以高成正弦关系，宽也成正弦关系，而等腰三角形的底即为PWM的宽，所以可得SPWM波计算题：1.1 整流电路例题2可能会改数据例题3和例题14是画波形例题3和例题14是画波形1.2 直流变直流：P138 T7 T8 T7 试绘制Sepic斩波电路和Zeta斩波电路的原理图，并推导其输入输出关系。解：Sepic电路的原理图如下：在V导通期间，左V关断期间当电路工作于稳态时，电感L、L的电压平均值均为零，则下面的式子成立由以上两式即可得出Zeta电路的原理图如下：在V导通期间在V关断期间当电路工作稳定时，电感、的电压平均值为零，则下面的式子成立由以上两式即可得出T8 分析图5-7a所示的电流可逆斩波电路，并结合图5-7b的波形，绘制出各个阶段电流流通的路径并标明电流方向。解：电流可逆斩波电路中，Vl和VDl构成降压斩波电路，由电源向直流电动机供电，电动机为电动运行，工作于第l象限：V2和构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于第2象限。 图3-7b中，各阶段器件导通情况及电流路径等如下：导通，电源向负载供电：关断，VD，续流：也导通，L上蓄能:关断，导通，向电源回馈能量1.3交流变交流 调压电路的计算题：（可能改为1/(WC)=1.15欧姆）1.4 交交变频的工作状态判断：正组反组猜测画图题为P93三相180°电压型桥式逆变电路如下图：细碎知识点：晶闸管额定电压是峰值电压，额定电流是通态平均电流。P50在单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大电压为2√2 U2，是单相全控桥式整流电路的两倍。P47和P51对比各种整流电流的a角移相范围。…………第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。18.在如下器件：电力二极管（Power Diod