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Quantum3D 量子力学效应的三维仿真模型 Quantum3D提供一套强大的模型，用来仿真半导体器件中多种量子限制效应和载流子量子传输。自恰薛定谔-泊松解算器允许 自恰静电势，从而计算束缚态能量和连带载流子波函数。薛定谔解算器结合使用非平衡格林方程(NEGF)的途径，从而建模有 强烈横向限制的三维或圆柱器件中的弹道量子传输。漂移扩散模式空间模型（DDMS) 为纳米规格的器件提供了另一种子带运 输建模途径，该模型结合了横向薛定谔和一维漂移扩散方程。量子矩传输模型允许仿真载流子传输的限制效应，却仍保留传 统的漂移扩散方法的简洁特性。它也允许在能量平衡/流体传输模型中考虑量子限制效应。Quantum3D还可对氧化隧穿进行建 模。 薛定谔-泊松方程（Schrodinger-Poisson） 为了仿真量子限制效应，Quantum3D自洽求解一到三维的薛定谔- 泊松方程。得到的本征能量和波形函数则用来求解量子电子密 度，它插入在三维泊松方程中。它应用一个预测修正方案取得快 速收敛性。除了一个空间二维薛定谔解算器之外，还有一个快速 结果空间解算器。它在两个方向上的线性合并一维仿真软件的结 果，从而得到二维波函数。这个方法少一个维数因而速度更快， 允许ATLAS仿真含有简单矩形的大型器件。 这些图显示三维结构表面的电子波形图，由一维（顶部）和 二维（底部）薛定谔方程与三维泊松方程自恰求解所得。 使用非平衡格林函数（NEGF）方法的弹道量子传输 近来硅纳米线成为纳米范围MOSFET沟道的可选材料。纳米线 新型NEGF解算器可以建模三维器件中弹道量子传输， 例如环 的柱状结构可通过环绕门极理想控制静电，因此可进一步将 栅MOSFET。 器件的尺寸降低到纳米范围。 为了找到本征函数和本征能量，先在器件的横向片断中求解 为了建模纳米线晶体管中或其他强大横向限制结构中的电子 二维薛定谔方程。然后求解NEGF量子传输方程，得到从源极 传输，Quantum3D提供了一个基于非平衡格林函数的算法的新 至漏极传输的各种子带（模式）的电子密度和电子电流。通 量子动力模型。 这是一个全面的量子力学方法，可解决在一 常，耦合模式空间(CMS)方法用于解决混杂电子模式。在简 个相等基础上的源极到漏极隧道，弹道传输和量子限制效应 单的统一横截面情况下，则使用更快的非耦合模式空间(UMS) 等。 法。 三维硅纳米线FET的器件原理图(左上 图), 总电流密度的等表面图(右上图 以 及电子密度的等表面图（下图），源 极和漏极区域张开，使用耦合模式空间 NEGF方法计算所得。 硅纳米线晶体管的电路图 (左图)和I-V 特征(右图)，带有统一的沟道横截面，使用非耦合模式空间NEGF 法计算所得。 漂移扩散模式空间模型 漂移扩散模式空间模型(DDMS)属于半经典器件运输方法，附 效应，并继承了所有用户熟悉的ATLAS模型特性，用于迁移 带强大横向限制，简易替代模式空间NEGF法。它类似于模式 率、复合、碰撞电离和带间隧穿。该模型允许一维子带的 空间NEGF，其解分解为横向的二维薛定谔方程和每个子带中 额外求解，包括本征能量、载粒子密度、电流、准费尔米 的一维传输方程。但是这个模型使用经典的漂移扩散方程代 （Fermi）级别和生成复合率。 替量子