直流和脉冲电镀铜互连线的性能比较.pdfVIP

直流和脉冲电镀铜互连线的性能比较? 1,2 ? 2 2 3 2 2 曾 磊 徐赛生 张立锋 张 炜 张 卫 汪礼康 （1.罗门哈斯电子材料（上海）有限公司， 上海 200233 ； 2.复旦大学微电子研究院，复旦-诺发互连研究中心，上海 200433 ； 3. 上海大学化学系，上海 200444 ） 摘 要：针对先进纳米铜互连技术的要求，比较了直流和脉冲两种电镀条件下铜互连线的性能，以及电阻率、织构 系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明，在相同电流密度条件下，脉冲电镀所得铜镀层电阻率较低， 表面粗糙度较小，表面晶粒尺寸和晶粒密度较大。而直流电镀所得镀层（111）晶面的择优程度优于脉冲。在超大规 模集成电路铜互连技术中，脉冲电镀将有良好的研究应用前景。 关键词：铜互连；电沉积铜层；脉冲电镀；直流电镀 1 引 言 随着芯片集成度的不断提高，铜已经取代铝成为超大规模集成电路互连中的主流互连技术。在 目前的芯片制造中，芯片的布线和互连几乎全部是采用直流电镀的方法获得铜镀层。直流电镀只有 电流/ 电压一个可变参数，脉冲电镀则中有电流/ 电压、脉宽、脉间三个主要可变参数，而且还可以改 变脉冲信号的波形。因此，脉冲电镀对电镀过程有更强的控制能力。 在直流电镀中，由于金属离子趋近阴极不断被沉积，因而不可避免地造成浓差极化。而脉冲电 镀在电流导通时，接近阴极的金属离子被充分地沉积；当电流关断时，阴极周围的放电离子又重新 恢复到初始浓度。脉冲电镀的主要优点有：降低浓差极化，提高了阴极电流密度和电镀效率；改善 镀层物理性能；所得镀层具有较好的防护性；能获得致密的低电阻率金属沉积层。 关于脉冲电镀的理论在上个世纪初就有人提出。近几年来，国外陆续发表了一些关于脉冲电镀 [1-5] 在集成电路铜互连应用中的研究 。但是目前在国内，针对脉冲电镀铜的研究主要集中在冶金级电 [6－8] 镀和印刷电路板（PCB）布线方面，几乎没有关于脉冲电镀应用于集成电路铜互连的文献报道 。 PCB 中线路的特征尺寸约为几十微米，而芯片中铜互连的特征尺寸是 1 微米，因此对亚微米级厚度 铜镀层的性能研究显得尤为必要。 本文将针对集成电路芯片铜互连技术，研究分别用脉冲电镀和直流电镀沉积得到的铜镀层性能。 2 实 验 采用8 英寸P 型（1 0 0）硅片，首先在硅片上PECVD （Concept One 200mm Dielectric System ， Novellus ）淀积800nm SiO2 介质层。接着用PVD （Invoa 200 ，Novellus ）溅射25nm 的TaN/Ta 扩散 阻挡层，然后用PVD 溅射50nm 的Cu 籽晶层。 ? 基金项目：国家自然科学基金项目）；上海市科委AM 基金（No. 0304 ） ? 作者简介：曾磊（1980－），重庆人，研究工程师；研究方向：先进铜互连技术 电话：021手机电子邮件：leiee@fudan.edu.cn 上海市邯郸路220 号复旦大学微电子学楼B208 室， 上海 200433 通讯联系人：E_mail: dwzhang@fudan.edu.cn 116 在电解槽中，阳极为高纯度的铜棒，外面包裹一层过滤膜，其作用是电镀时阻止杂质进入铜镀 层，影响镀层性能。将经PVD 溅射好铜籽晶层的8 英寸硅片切片后的小矩形片作为阴极（5cm×2cm）。 电解槽底部靠近阴极处有一个磁力搅拌子，电镀时，置于电解槽下面的磁力搅拌仪产生磁场，驱动 搅拌子匀速转动，转速设定为400 转/分，这可以使电镀过程中阴极附近电解液中的铜离子浓度保持 正常，降低浓差极化和提高阴极电流密度，加快沉积速度。 2+ - 电镀液成份为，Cu 17.5 g/L