真空蒸发制备Cd1xZnxTe薄膜的性质研究.pdfVIP

化合物半导体和空间用太阳电池及材料 ．363． 武莉莉 冯良桓蔡伟 李卫 张静全黎兵 雷智蔡亚平．郑家贵 四川大学材料科学与工程学院四川成都610064 【摘 要】 用真空蒸发法制备了cdl．。zn。Te(0x1)系列薄膜，研究了薄膜的结构、．成 分及其光、电学性质。XRD测试表明各组分薄膜的结构均为立方相，且在(111) 方向高度择优。衬底温度对薄膜结构没有明显影响。成分分析表明，刚沉积的 薄膜富Te，且zn含量越多，衬底温度越高，富Te的趋势越显著。通过测量透 过和反射谱，计算出Cdl．IZnxTc薄膜的禁带宽度E|随组分x值线形变化。 CdI．。Zn。Te薄膜的电阻率和电导激活能随x值增加而减小。 【关键词】 真空蒸发Cdl．,Zn,Te薄膜太阳电池 ofthe of thinfdmsvacuum CdlxZnxTe Study properties by co-evaporationtechnique Lili WeiLiWei Li LeiZhi Wu Cai Cai FengLianghuan ZhangJingquanBing Yaping ZhengJiagui ofMaterialsScienceand 610064 College Engineering，SichuanUniversity，Chengdu，Sichuan 0引言 薄膜太阳电池是太阳电池低成本化的·个必然趋势，对效率大于15％的叠层薄膜太阳电池 低界面态密度，从而得到更高效率的电池。因此，有必要系统研究Cdl。Zn,Tc薄膜的各种性质， 以指导它在薄膜电池中的应用。目前，有关Cdl．。zn．Te材料的报道大多针对晶体材料用作室温核 辐射探测器。有关Cdl．；ZnxTe薄膜的制备方法，已经报道的有近空间气相输运【l】、近空间升华口1、 磁控溅射【3】、真空蒸发[41和扩散【5】等。考虑到真空蒸发方法简单，容易控制组分【1】，本文采用这种 方法沉积了系列组分(ox1)的薄膜。研究了薄膜的微结构、形貌、光学及其电学性质。 1实验 ．364． 中国太阳能光伏进展 两个源之间用挡板相隔，以保证监控的独立性，从而精确控制薄膜组分。衬底上方用卤钨灯 加热，通过石墨均匀传热给衬底，可以实现室温～400。C的变温沉积。系统的本底真空为3 ×10一Pa，薄膜沉积时的真空度控制在6×10“Pa～2×10-3Pa之间，保证蒸发分子的平均 自由程远大于源到衬底之间的距离。 2结果与讨论 2．1 结构分析 薄膜的结构观察在丹东射线仪器集团公司生产的Y-4Q自动X射线衍射仪上进行，使用 铜靶K。线，扫描范围：10～90度，扫描速度：0．03度，秒，波长1．54178A。刚沉积的各组 线性关系，表达式为： ． a=6．481—0．434×x’ (1) 罂c，．它西菩面celuI o三里口正 图1刚沉积的不同组分的CZi薄膜的(111)方向的XRD精细谱