硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管传感器的研究.pdfVIP

第五届全国制药工程科技与教育研讨会／化学制药 2006年11月 硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管 传感器的研究 李先文1卜冯亚非” 1)广东海洋大学理学院，广东湛江524088 ·李先文，男，博士，教授，陕西三原人，1955年生，研究方向：化学传感器，Email：lixw@gdou。edu．CFI 关键词溶胶一凝胶技术，离子敏感场效应晶体管；硅钨酸；阿托品 中图分类号0657．1文献标识码A 摘要目的：研制一种离子敏感场效应晶体管药物传感器。方法：将Keggin型硅钨酸一阿托品缔和物掺杂到溶胶一 凝胶中，滴涂在离子敏感场效应晶体管的栅极表面，制备成传感器。并对传感器的电化学行为，包括PH值的影响和传感 器的稳定性进行了详细的研究。结果：结果表明，此传感器既保持了离子敏感场效应晶体管的特点，又具有良好的稳定 传感器适宜的PH3．0～8．0。结论：用所制传感器测定阿托品注射液的含量，结果和药典方法相一致。 of acid—modifiedIonsensitive StudySilictungstic fieldef．fecttransistor LiXianwen Yafeil’ 1)j．．Feng of Ocean science，GuangdongUniversity，Zhanjiang，524088 1)College *Li in currentfieldofinterestisthechemicalsensor． Xianwen(1955一)，male，bom Sanyuan，Shaanxi，China,Doctor，professor，the sensitivefieldeffect KeywordsSol·geltechnique；Ion transistor；Silictungsticacid；Atropine weremodifiedonthe Abstract ofakindof sensors．Methods：The acid Aim．developmentDrugFET Keggin-typesilictungstic sensors surfaceofa ofionsensitivefieldeffecttransistor the electrochemicalofthemodified gate gSFET)bysol-geltechnique．The SO resultsshowthatthemodifiedsensorsnot wasstudiedin and detail，includingPH-dependence，stabilityon．Experimental only maintainsthecharacteristicof alsohasa and sensorexhibitsNemst for ISFET，but stabilitysensibility．Results：The response good