半导体基础知识讲述.pptx

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半导体基础知识讲述

第一章 半导体二极管和三极管 哈哈哈 第一章 半导体二极管和三极管 §1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 晶体三极管 §1 半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应 一、本征半导体 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 1、什么是半导体?什么是本征半导体? 导体--铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。 绝缘体--惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体--硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 2、本征半导体的结构 由于热运动,具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中留有一个空位置,称为空穴 自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。 共价键 一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升高,热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴对的浓度加大。 外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。由于载流子数目很少,故导电性很差。 为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体? 3、本征半导体中的两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子。 温度升高,热运动加剧,载流子浓度增大,导电性增强。 热力学温度0K时不导电。 二、杂质半导体 1. N型半导体 磷(P) 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多,多子浓度越高,导电性越强,实现导电性可控。 多数载流子 空穴比未加杂质时的数目多了?少了?为什么? 2. P型半导体 硼(B) 多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电,掺入杂质越多,空穴浓度越高,导电性越强, 在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗? 三、PN结的形成及其单向导电性 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。 P区空穴浓度远高于N区。 N区自由电子浓度远高于P区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低,产生内电场。 PN 结的形成 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态平衡,就形成了PN结。 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成内电场,从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。 PN结加正向电压导通: 耗尽层变窄,扩散运动加剧,由于外电源的作用,形成扩散电流,PN结处于导通状态。 PN结加反向电压截止: 耗尽层变宽,阻止扩散运动,有利于漂移运动,形成漂移电流。由于电流很小,故可近似认为其截止。 PN 结的单向导电性 必要吗? 清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 四、PN 结的电容效应 1. 势垒电容 PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生变化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放电相同,其等效电容称为势垒电容Cb。 2. 扩散电容 PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释放的过程,其等效电容称为扩散电容Cd。 结电容不是常量!若PN结外加电压频率高到一定程度,则失去单向导电性! 问题 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体,导电性能极差,又将其掺杂,改善导电性能? 为什么半导体器件的温度稳定性差?是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素? 为什么半导体器件有最高工作频率? §2 半导体二极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管 一、二极管的组成 将PN结封装,引出两个电极,就构成了二极管。 小功率二极管 大功率二极管 稳压 二极管 发光 二极管 一、二极管的组成 点接触型:结面积小,结电容小,故结允许的电流小,最高工作频率高。 面接触型:结面积大,结电容大,故结允许的电流大,最高工作频率低。 平面型:结面积可小、可大,小的工作频率高,大的结允许的电流大。 二、二极管的伏安特性及电流方程 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~0.8V 1μA以下 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十μA 开启电压 反向饱和电流 击穿电压 温度的 电压当

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