可靠性仿真典型案例(模拟)讲述.docxVIP

一、模拟电路的仿真案例 1. 整体电路功能说明 过流检测电路用于监视电路工作电流的大小，当电路负载上的电流超过某一数值，电路会给出报警信号。检测电流可以在流入负载一侧取样，也可以在流出负载一侧取样，这两种检测方法可以分别称为高端和低端电流检测。它们都是通过取样电阻采样电流然后通过电压放大器放大，都要求放大器有较高的输入阻抗、放大倍数线性度和一定的共模范围。以下时一个可能的应用场景，0.1欧姆的电阻串接在1.8V电源和负载之间，一个仪表放大器将0.1欧姆电阻上的电压放大100倍（实际略低）后输入给运放的正相输入端，带隙电路产生的基准电压输入给运放的反相输入端，3.3V的电源给仪表放大器、基准和运算放大器供电，其中仪表放大器是由三个运算放大器组成的。该电路一共由4个运算放大器模块和1个带隙基准模块组成，电路元件总数超过300个。 1.8V电源上的负载电流超过某一个设定值，运算放大器会输出一个高电平的报警信号。总体电路的电路图如图1-1所示，总电路包括偏置电压模块bandgaptest1、由3个基本运放组成的仪表放大器yifang和输出级运放cmop。 图1-1 过流检测总电路图 2.使用自建模型进行可靠性仿真 本方案使用reliability.scs可靠性模型文件传递所需的模型参数，建模的所有步骤都是基于Cadence软件的Spectre中的URI接口，接下来分别用自建模型对偏置电压模块、运算放大器、总体电路进行可靠性仿真。 2.1 带隙基准电压电路可靠性仿真 打开已经设计完整的带隙基准电压电路，界面显示如图1-2： 图1-2带隙基准电压源电路图 图1-3 等效电路结构图(a) 图1-4 等效电路结构图(b) 图1-2是详细电路图，该电路是一个带隙基准结构。带隙基准的工作原理是根据硅材料的带隙电压与电压和温度无关的特性，利用△VBE的正温度系数与双极型晶体管VBE的负温度系数相互抵消，实现低温漂、高精度的基准电压。双极型晶体管提供发射极偏压VBE；由两个晶体管之间的△VBE产生VT，通过电阻网络将VT放大α倍；最后将两个电压相加，即VREF=VBE+αVT，适当选择放大倍数α，使两个电压的温度漂移相互抵消，从而可以得到在某一温度下为零温度系数的电压基准。图1-3是电流源产生电路，充当图1-4中的恒流源。 接下来进行该带隙基准电路的可靠性仿真。 点击Launch菜单下ADE L选项，如图1-5所示，进入仿真设置界面。 图1-5 打开设置界面的步骤 如图1-6所示，是Candence的仿真设置界面 图 1-6 仿真设置界面 点击图1-6中标注有数字“1”的红色框中的按钮，进行分析模式的选择，选择瞬态分析模式，具体配置如图1-7所示，配置完成后点击OK按钮。再次点击图1-6标记为“1”的按钮进行分析模式选择，选择dc分析模式，具体配置如图1-8所示，配置完成后点击OK按钮，则在此次仿真中同时进行瞬态仿真和dc仿真。 图1-7添加tran（瞬态）仿真分析模式 图1-8 添加dc仿真分析模式 点击图1-6中红色方框中标注有数字“2”的按钮，进行输出波形的信号来源选择，点击该按钮后会弹出图1-9所示的选择对话框，点击“From Schematic”按钮，便可以直接从电路图中选择需要输出波形的信号。此处由于我们仅需要观察基准电压Vref的情况，因此仅选择Vref的电压输出波形。 图1-9输出波形信息设置界面 如图1-10所示，点击菜单栏中的Setup菜单中的Model Libraries选项，进行模型库的选择，点击该选项后，会弹出如图1-11所示的界面，可在该界面中选择模型库。 图1-10选择模型库菜单 图 1-11 选择模型库界面 点击图1-11中的红色浏览按钮，在/models路径下选择可靠性仿真需要的仿真模型文件，在此处由于是进行自建模型的可靠性仿真，因此选择reliablility.scs文件，选好后的界面如图1-12所示。 图1-12 选择好自建模型文件后的界面 点击菜单栏中的Simulation-Reliability-Setup选项，进行可靠性仿真的相关参数设置，点击该选项后会出现如图1-13所示的配置页面。 图1-13可靠性仿真相关参数设置界面 在图1-13中，仅需要配置Basic选项里的内容，各项配置可参照图1-13中配置，在这里仅对红色方框中的内容作简要说明，方框1的内容是选择老化时间，此处是选择仿真老化10年后的结果；方框2是选择性能损耗比，这里设置是损耗10%，则仿真工具会计算该电路各个器件性能损耗10%需要的时间；方框3是选择可靠性仿真接口库文件，由于这里是使用URI自建模型，需要选择接口库文件，点击浏览按钮选择“libURI.so”（若使用的是Cadence自带HCI模型，则不需要进行方框3中的选项的配置）。最后点