碳纳米管的掺杂对TN模式光电性能的影响.pdfVIP

LCD 2006 2004年教育部重点项目．NO：104187和北京市腐蚀与表面技术重点实验室项目资助 碳纳米管的掺杂对TN模式光电性能的影响 马征，王佩君，张立培，曹晖，王丽萍，海明潭，杨槐★ 北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系，北京100083 (Mutli—walledCarbon 摘要 种良好性能，例如极高的强度、韧性和弹性模量㈧”，优良的 研究了不同浓度的单壁和多壁碳纳米管的掺杂对TN模式液晶 场发射性能f6】，较大的比表面积…等等。同时1／3的单壁碳纳 盒的光电性能的影响，碳纳米管的掺杂会显著降低TN液晶盒 米管和绝大多数多壁碳纳米管显金属性【8．m，具有良好的电学 的阈值电压和饱和电压，电压一透过率曲线的陡度也明显增 性能。 加，但对比度有较大幅度的降低。掺杂单壁碳纳米管的液晶 液晶和碳纳米管具有的特殊性质引起了研究人员对这两 盒的开态和关态响应时间都有一定程度的增加，而掺杂多壁 种物质的复合体系的研究。lngo 碳纳米管则导致液晶盒关态响应时间有所降低，开态响应时 外加电场(磁场)控制液晶分子的取向，使分散在液晶中的 间没有显著变化规律。 碳纳米管在弹性场的作用下转至与液晶指向矢相同的方向， 实现碳纳米管的有序排列【lo．0u】。Sousa等人则在碳纳米管的制 关键词 备过程中采用液晶的有序性来制备碳纳米管阵列【12l。Lee等 碳纳米管，液晶，TN模式，光电性能 人将微量碳纳米管掺加到TN模式下，研究了对其驱动电压的 影响Da]。 1．前言 本文研究了不同浓度的单壁和多壁碳纳米管，液晶混合 体系对TN模式液晶盒的阈值电压，驱动电压，对比度以及响 19世纪末奥地利植物学家FriedrichReinitzer和德国物 应时I’日J的影响，并解释了相应的实验规律。 理学家OttoLehmann发现并命名了液晶111，此后几十年内只 在实验室中对液晶进行了研究，直到20世纪后半期液晶作为 显示材料得到了广泛的应用，尤其是最近几年液晶显示器市 2．实验部分 场规模已经迅速超过阴极射线管显示器。1971年M．Schadt 和W．Helfrich首次提出了TN显示模式12】，这种模式马上就 被利用制造了第一台成型的液晶显示设备，这就是最初的 司)；取向层材料为PVA。 TN—LCD(扭曲向列液晶显示器)。TN模式具有低驱动电压， 高对比度等特点，至今仍在液晶显示占有重要地位。 后摩擦取向；将上下ITO玻璃基板呈摩擦方向为900正交放 1991年日本NEC实验室的Lijima利用高分辨透射电镜 在检测石墨电弧没备的产物中发现了管状同轴的碳纳米管结 置制备液晶盒，盒厚12“Ill。 构，即一种新的碳的存在形式13l，它是由圆柱面六边形晶体结 分别将0．01wt％、0．03wt％、0．05wt％、0．1vet％的SWNT 构的折叠碳层组成，可以看作六元碳环组成的类似石墨的平 和MWNT掺入到液晶中。为了使碳纳米