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集成电路原理及应用 (第二版)谭博学、苗汇静主编电子工业出版社 教材 参考教材 第一章集成运算放大器的基础知识 集成运算放大器的基本组成 集成运放的基本单元电路 双极晶体管的基本结构示意及符号图 双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），由两个PN结组成，三个中性区组成。引出三个电极分别为基极（Base）、发射极(Emitter)、集电极(Collector)。三个中性区分别为发射区、基区、集电区。发射区与基区之间部分称做发射结，基区与集电区之间的部分称集电结。晶体三极管分PNP和NPN型两种。 双极晶体管的工作模式 右图所示npn的结构，其工作模式： (1)、饱和区 条件：发射结正偏、集电结也正偏。典型值为VBE=0.7V (硅管)，而饱和压降VCE(sat)=0.3V 双极晶体管的VBE与IC的关系 共发射电路的VBE与输入电流IB之间的关系曲线 实际上VCE 0.3 V 时，VCE对输入特性影响较大， VCE 0.3 V 以后，影响较小，对于一般工作于放大状态的三极管总满足条件 VCE 0.3 V ，这时诸输入特性靠得很近，通常只画出一条特性曲线。 双极晶体管的放大作用 CE放大器的输入输出曲线 例：判断下图晶体管处于何种工作状态（放大、截至、饱和或损坏），说明理由（05年中科院中科大）。 例：在晶体管放大电路