3数字集成电路设计第三讲题稿.pptx

数字集成电路设计 第三讲：CMOS集成电路的物理结构与制造工艺 今天的话题 集成电路里面的“工艺层级”概念 MOSFET电路的物理结构 CMOS 电路的层级与物理结构 FET 阵列设计 CMOS 集成电路的制造 3 Design Abstraction Levels n+ n+ S G D + DEVICE CIRCUIT GATE MODULE SYSTEM 0.35微米工艺、22nm工艺、16nm工艺，这些长度单位指的是什么？ 课前问题 Fabrication and Layout Slide 5 今天的课程简介 集成电路: 很多个晶体管在一个芯片上. Very Large Scale Integration (VLSI): 非常多的晶体管 Metal Oxide Semiconductor (MOS) 晶体管 快速, 低成本, 低功率的晶体管 CMOS（互补型）: n- 与p-type 的互补 今天的工作：教会每个人做一个CMOS集成电路！ 基本的CMOS逻辑门电路的物理实现 晶体管的物理设计与工艺实现 剩下的课程：如何做一个好的集成电路 今天的话题 集成电路里面的“材料层级”概念 集成电路的物理结构 1.互连线与互连线延迟 2. MOSFET的物理结构 CMOS 电路的层级与物理结构 FET 阵列设计 CMOS 集成电路的制造 不同材料层级的多层叠加 集成电路里的材料层级