量子点CdS修饰纳米结构TiO2复合膜的光电化学研究.pdfVIP

2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议专辑 郝彦忠’，王伟 (河北科技大学，理学院，石家庄，050018) 本文用原位化学法制备ITO／Ti02／Q—CdS(Q代表quantumdots)，用光电化 学方法研究了ITO／Ti02／Q．CdS膜电极的光电转换性质。 1实验部分 1．1ITO／Ti02电极的制备参考文献【1】 1．2ITO／Ti02／Q．CdS膜电极(以下称为修饰电极)的制备参考文献f2】 2结果与讨论 图lITO／Ti02／Q—CdS多孔膜的原子力显微镜图 图，从图上明显可以看出有Q．CdS的存在。 由图2可知在可见光区修饰电极有明显的光电流，这说明修饰电极使光吸 收截至波长发生了明显的红，说明Q．CdS明显的起到了敏化作用。 从图3可以看到波长为495nm时Q—CdS薄膜开始有吸收，可以计算出其禁 V(相对于饱和甘汞电位)， 带宽度为2．51eV。由图4可知，CdS膜的平带电位为。O．6 由于饱和甘汞电极相对于氢标的电位为0．242V，所以，其相对氢标电位为一0．842 eV(相对真空 能级)。其价带为．6．168eV(相对真空能级)，能级结构图如图5所示。 北省教育厅指导性项目(批准号：Z2005203) 329 2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议专辑 7口 ●● ●● ，稿 登：10 。秘 10 ● 30●-●槲 000 PPO(100 m#●400哪O 000SDO 枷_ l^．_ 图2ITO／Ti02多孔膜电极(a)和ITO／Ti02／Q-CdS(b) 图3 0．3 V(SCE)孔膜电极的吸收光谱图 从图5可以看出，由于量子尺寸效应的结果，使Q—CdS的禁带宽度由块体 的2．42 eV[21增加到2．51 纳米Ti02多孔膜电极中，能带不弯曲，带边随电位的变化而移动[31，在较长波 长光激发下，Q．CdS产生的电子可注入到Ti02导带上，由此起到敏化作用。 4000 厨he=0 35呻 IO帅 2500 20蛐 §m- ，O∞ 5们 l {OO 图5电势与光电流作用曲线 图6能级结构图 3结论 利用光电化学方法确定了Q—CdS膜的禁带宽度为2．51 复合电极明显使光电流产生波长红移，光电转换效率明显提高。 参考文献 【1】郝彦忠，武文俊．高等学校化学学报，2005，26(6)：1098 Weller 【2】Vogel＆HoyerE H．J．Phys．Chem,1994，98(12)：3183 【3】郝彦忠，蔡春立．化学学报，2006，64(4)：283