金属铝基板表面微弧氧化绝缘化处理与介电性能.pdfVIP

第四届中国热处理活动周暨第九届江苏省热处理年会论文集(2006年5月，南京) 金属铝基板表面微弧氧化绝缘化处理与介电性能 韩艳春，杨克涛，何洪，宋秀峰，沈源，傅仁利 (南京航空航天大学材料科学与技术学院，江苏南京210016)． 摘要：本文采用微弧氧化的方法对金属铝基扳表面进行绝缘化处理。通过XRD、SEM对膜层进行了研究分析， 并测试了膜层的绝缘性能和介电性能。研究结果表明：绝缘膜层主要由o【-A1203和1，．A1203两相组成，微弧氧化膜 层的绝缘电阻率为6．5x1012Q．cm，具有较好的绝缘性能。在500 kHz一2 MHz低频率段微弧氧化绝缘薄膜的介电 常数在25～50之间，500 kHz时存在松弛极化现象，随着频率的减小介电常数迅速增大。介质损耗t蚰6在O．5。I．0 之间，12 MHz随着频率的增大tan8迅速增大，并在15 MHz附近出现介质损耗峰。 关键词：铝基板；微弧氧化；绝缘性能；介电性能 中图分类号：TB43 在电子产业中，基板是电子元器件重要的组成部分。电子基板提供集成电路等各种电子元器件固定、 组装的机械支撑，可实现元器件的自动化安装。它实现集成电路等各种电子元器件之间的电气连接或电绝 缘，提供所要求的电器特性，如特性阻抗等【l】。随着电子产品向着高集成度、高可靠性等方向发展，对基 板的绝缘与散热性能要求愈来愈高。金属芯绝缘基板在这方面的应用具有优势，然而传统金属芯基板的绝 缘化处理主要是采用阳极氧化法，阳极氧化方法存在处理时间长、对环境有污染、膜层质量不高等问题。 微弧氧化是一种在阳极氧化基础上发展起来的，对铝等轻金属进行表面陶瓷化处理的新技术。相对于 传统的阳极氧化法，该法工艺简单，无污染，反应迅速，且无需对铝基板进行复杂的预处理，具有很高的 产业化应用价值。目前，对采用阳极氧化和微弧氧化方法所制备的氧化铝陶瓷层的研究多集中在氧化铝薄 膜的耐磨性、耐腐蚀性等方耐H】，而对金属铝基板表面进行绝缘薄膜制备和绝缘化处理的研究和报道很 少。本文采用微弧氧化的方法对金属铝基板作表面绝缘化处理，并对制备的基片样品的绝缘性能和介电性 能进行表征。 1 实验过程 试样为50mm×60mmxl．5mm纯铝片，不锈钢容器作阴极，采用MAO．I型微弧氧化电源供电，电流密 度为10．5A／dm2，循环水冷却控温(20℃～30。C)。试样经过如下预处理：脱脂(H2S04，9．8％，60。C，2min) 再水洗，然后微弧氧化20min后，取出水洗，自然风干。所用电解液成分为Na3P04(0．06mol／L)，NaOH (0．05mol／L)。 在Fei Quanta 200扫描电子显微镜上观察样品断面和表面形貌。用Bruker D8 advance(CuKa，40kV) 射线衍射仪分析基板表面薄膜的物相组成。采用NF2511绝缘电阻测试仪测量样品的绝缘电阻，测试电压 为100V。采用Agilent 4294A精密阻抗分析仪测试样品的介电性能，在薄膜表面压铟电极，形成In．Aj203-AJ 平行板电容器。 2实验结果分析和讨论 2．1微弧氧化绝缘薄膜的物相组成 图1所示为纯铝片微弧氧化处理后所得到的绝缘氧化膜的XRD衍射谱。从图中可以明显地看到表面 膜层含有a-A1203和Y．A1203两种晶型的物相，而0【一A1203又是膜层氧化物中的主要存在形式。这是因为在 357 氧化铝绝缘薄膜的形成过程中，微弧火花放电产生的高温为 a·A1203和丫一A1203两相的形成创造了条件，喷出膜表面的氧 化铝熔融物与电解液直接接触，激冷而迅速固化，易于形成 ^r相，放电通道内靠近膜内部的氧化铝熔融物冷却速率较小， 为0【相的形成创造了条件陋1。 2．2微弧氧化绝缘薄膜的微观形貌 图2所示为微弧氧化制备的绝缘氧化膜的微观形貌。由 于样品在电解液中氧化过程伴随有微弧放电现象，在微放电 区内，氧化膜被高压击穿，温度可达2500(2，压力可达数百 个火气压IoJ，造成氧化膜熔融，等离子微弧消失后，电解液 很快将热量带走，经冷却的熔融物迅速凝固。所以微弧氧化 成膜速度快，20min所得到的绝缘氧化膜层厚度可达12um。 微弧在材料表面产生微等离子体火花放电，使得膜层表面有 明显的烧结熔融痕迹，并在中间分布着许多直径约0．3～1．8um 的圆形小孔。这些类似火山口的小孔，是由微弧火花放电所 口·^03 ·。。c世03 崩 口 口 ● ● ●● f■—山 舡～。。 30 40 50 60 70 80 90 20／(o) 图l微弧氧化绝缘膜层的XRD衍射谱 Fig．1 XRD patterns of surface of sample treated by micro—arc oxidation 形成的放电通道。氧化膜熔融物沿放电通道喷出，迅速冷凝后在