薄膜制备与课堂讲稿_第一讲_题稿.ppt

4. 等离子体化学气相沉积法(PECVD) 为了使化学反应能在 较低的温度下进行，利用 了等离子体的活性来促进 反应，因而这种CVD称为 等离子体增强化学气相沉 积(PECVD)即： 高频辉光放电形成等离子体 +化学反应 = PECVD 反应气体 接射频电源 样品 抽气 成膜机理： 辉光放电等离子体中： 电子密度高 (109~1012/cm3) 电子气温度比普通气体分子温度高出10-100倍 ∵ 虽环境温度(100-300℃)，但反应气体在辉光放电 等离子体中能受激分解，离解和离化，从而大大 提高了参与反应物的活性。 因此，这些具有高反应活性的中性物质很容易被吸附到较低温度的基本表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜。 优点： 基本温度低；沉积速率快； 成膜质量好，针孔少，不易龟裂。 5. 光CVD 为了在膜的局部形成指定膜成份，发展了光CVD. 其基本原理： M + hv(光子) → M*(激发态) 受激分子具有额外能量hv,成了一种新的化学粒子,化学活性增大，与其它气体易反应，例如： 但实际上并不是百分之百地凝结成膜，总有一部分原子或分子会产生解吸。因此，存在一个凝结系数α即： d实=αd理 α=d实/d理 不同的基板，往往凝结系数α不同，从而沉积速率d实不同. 这是实验上所观察到的现象。 ⑹ 蒸发手段 电阻蒸发 电子束蒸发 激光蒸发 反应蒸发 溅射制备薄膜 第四讲 一.溅射制备薄膜的工作原理 雷电→实验模拟→阴极射管→1860年格格夫“溅射”现象 阴极 阳极 阴极辉光 负辉光 阳极光柱 阿斯顿暗区 克鲁克斯暗区 法拉第暗区 阴极射线管： 冷阴极发射出的电子其能量仅1.0eV，不足以激活 气体，因此，形成阿斯顿暗区； 电子加速后具有了能量，激活气体分子使其处于激 发态，而激发态向低能级跃迁便发光，由此形成阴极 辉光区； 电子继续加速，具有了较大能量，经碰撞使气体分 子电离而自身电子速度降低，从而无法激活气体分子， 因此形成克鲁克斯暗区。显然，在这个区域里有高密度 的正离子，并加速向阴极运动, 从而有大电压降； 慢电子再经电场加速后具有了能量，激活气体分子 使其处于激活态，经跃迁到低能，由此形成负辉光区； 电子加速过快，仅能电离部分气体分子，不能激活 气体分子，因而是暗区，称其为法拉第暗区，并且暗 区较长，经过较长的法拉第暗区，电子又慢下来； 慢下来的电子具有了激活气体分子的适合能量，而 使其处于激活态，经跃迁到低能级而形成阳极光柱。 由此可见，电压主 要降在克鲁克斯暗区， 而阴极光柱的电压降 很小，如图所示。 阴极 阳极 克鲁克斯暗区 V 中性粒子 e- 电子 正离子 负离子 返回 入射离子 反射离子 “溅射”现象: 二次发射粒子 入射离子能量= 热能+二次发射粒子能量 95％ 5％ 中性粒子数：二次电子数：二次离子数 100 10 1 加热，结晶变化，扩散，离子注入 溅射理论: 热学理论---局部加热蒸发，因不合实际而淘汰。 动量理论---动量传递，当动能大于升华热---溅出。 现普遍承认 溅射参数：溅射率，溅射阀，溅射粒子速度和能量。 ① 溅射率 (溅射产额或溅射系数) 平均每个正离子能从阴极上打出的原子数. 实际结果： 溅射率增大方向 多晶材料的溅射率S ： E:入射离子能量 E0:升华热 其推导参见： ② 溅射阈值 入射离子使阴极靶产生溅射所需的最小能量. 一般为：10-30eV/分子; 而升华热为：2-8eV/分子. ③ 溅射粒子的速率和能量 Ar+轰击下，溅射粒子的平均速率为3-6×105cm/s 平均能量为:10-40eV 大于蒸发能量0.1-0.2eV ④ 二极溅射淀积速率 0.3-5μm/s 蒸发102-105μm/s 结论： 溅射法：能量大，但淀积速率低 蒸发法：能量小，但淀积速率快 二. 二极溅射、三极溅射 1. 二极溅射(DC直流溅射) 抽气 出水 冷却水进 Ar气等 接负高压 阴极溅射原理图 样品 靶 M 辉光等离子区 溅射步骤： ①抽真空至10-3-10-4Pa. ②充入惰性气体(如Ar) 至7-0.1Pa. ③加数千伏的负高压,出现 辉光放电. 这时，被电离了的Ar离子向靶加速运动，通过动量传递，靶材原子被打出而溅射到样品上，形成薄膜。 优点：二极溅射结构简单. 缺点：不能溅射介质膜即绝缘膜； 溅射速率低，往往需要几个小时. 二极溅射的优缺点： 2. 三极溅射 阳极(+50V) 靶(-600V) 磁场线圈(40-1000高斯) 样品 栅极(+360V) 热灯丝 惰性气体(Ar) 抽气 三极溅射原理图 为提高溅