第二章晶体结构的缺陷(第4讲)讲解.pptVIP

2.7 半导体晶体中的掺杂缺陷—电子缺陷 根据能带理论，当原子或离子紧密堆积形成晶体时，外层 价电子是离域的，所有的价电子归整个晶格的原子所共有。 外层电子(能量高) 势垒穿透概率较大，可以在整个固体中 运动, 称为共有化电子。 内层电子与原子核结合较紧,一般是非共有化电子。 价电子波函数线性组合形成的分子轨道在空间上延伸到整 个晶体。 分子轨道数目很多，而其能量间隔极小，所以就形成能带。 能带结构及导体、半导体和绝缘体的划分 根据电子占据情况能带分为： 满带：由充满电子的能级构 　　　　成，能量较低； 价带：由未充满电子的能级 　　　　构成，能量较高； 空带：由未填电子的能级构 　　　　成，能量较高； 　禁带：满带顶到导带底之间 　　　　的能量间隔。 本征半导体：物体的半导体性质是由电子从满带激发到导 　　　　　　　带而产生的。 　　载流子：电子和空穴。 　　高纯半导体在较高温度时，才具有本征半导体的性质。 杂质半导体：半导体中掺入杂质时，其导电性能和导电机 　　　　　　　构与本征半导体不同。 　　 载流子：电子（n-型）或空穴（p-型）。 　　 实际使用的半导体都是掺杂的，掺杂不仅可增加半导 体的导电能力，并且可通过控制掺入杂质原子的种类和 数量形成不同类型的半导体。 　 一般化合物其化学式符合倍比定律和定比