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基于单边带调制的前馈技术压缩半导体激光器线宽.pdfVIP

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基于单边带调制的前馈技术压缩半导体激光器线宽.pdf

第 43卷第 6期 红外与激光工程 2014年 6月 Vol.43 No.6 Infrared and Laser Engineering Jun.2014 收稿日期院2013-10-10曰 修订日期院2013-11-25 基金项目院天津市自然科学基金(11JCYBJC00100)曰天津青年基金(13JCQNJC01800) 作者简介院袁其平(1962-)袁男袁教授袁硕士生导师袁主要从事移动通信方面的研究遥 Email:yqp1962@163.com 基于单边带调制的前馈技术压缩半导体激光器线宽 袁其平 1,吴丽娜 2,童峥嵘 2,曹 晔 2, 张卫华 2 (1. 天津理工大学 电子信息工程学院,天津 300384;2. 天津理工大学 薄膜电子与通信器件 重点实验室及智能计算及软件新技术重点实验室,天津 300384) 摘 要院 提出了一种基于电光单边带调制的前馈线宽压缩系统,该系统主要包括相位噪声检测和单边带 调制两大部分。相位噪声检测部分输出一个与相位误差成比例的误差电压信号,电压信号通过线性调频作 用于单边带强度调制器,实现对激光信号的调制。单边带调制器采用马赫增德尔强度调制器的结构,相当 于内嵌四个相位调制器,通过相位调制达到强度调制的目的,最终得到线宽压缩的激光信号。实验针对波 长为 1 552.52 nm、功率 10 mW的分布反馈(DFB)半导体激光器,通过对闭环系统的搭建与仿真,激光器的 线宽从原来的 0.5nm减小到 0.016 nm,实现了对半导体激光器线宽的压窄。 关键词院 DFB半导体激光器; 单边带调制; 前馈技术; 频率噪声; 线宽 中图分类号院TN248.4 文献标志码院 A 文章编号院 1007-2276(2014)06-1699-05 Line width of feed蛳forward technology compression semiconductor laser based on single side蛳band modulation Yuan Qiping1, Wu Lina2, Tong Zhengrong2, Cao Ye2, Zhang Weihua2 (1 School of Electronics Information Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China; 2. Key Laboratory of Film Electronics and Communication Devices and Key Laboratory of Intelligent Computing and Novel Software Technology, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) Abstract: An electro鄄optical feed鄄forward line width compression system based on single side鄄band modulation was put鄄forward, which included phase noise extraction as well as single side鄄band modulation. The phase noise extraction outputted an error voltage signal proportional to the phase error, and the voltage signal modulated the laser signal through the linear frequency modulation忆s effects on the single side -band intensity modulator. The single side鄄band modulator, adopting the structure of MZ intensity modulator, equivalent to inline four phase modulators, achieved intensity modulation through phase modulation, and finally got the line width compression laser signal. The experiment aims at DFB semiconductor laser, with wavelength of 1 552.52 nm, power of 10 mW,

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