半器考题集锦.docVIP

一、选择题3%*121.什么效应会直接导致gd变大？?Early?选项忘了2.计算高频发射效率什么电流不用考虑？?扩散电容的电流?选项忘了3.以下哪个正确?A.ineinc?B.ipeine?C.icinc?D.ib=ipe+icbo4.异质结的特点不正确的是A.基区轻掺杂?B.发射区轻掺杂?C.发射区宽禁带5.恒电场scaling，正确的是：选项有R,I,CG,gd6.减小亚阈值摆幅的方法7.下面哪项不利于增加VT?A.注硼?B.减小|Vbs|?C.VmVs8.体电荷模型和平方率模型的区别?A.VDSsat增加?B.没有统一的VT?C...?D..9.短沟道IDSsat?正比于：A.(Vgs-Vt)^2?B.Cox?C.L?D.W/L10.NMOS电势最低点：A.源?B.源附近?C.漏?D.漏附近其他高手补充??二、1.写出闩锁效应原理并画出电路图2.已知npn管fT=50G，忽略发射极和集电极效应，求Wb。3.画出NMOS高频等效电路，计算fT三、1.(1)已知漂移晶体管基区掺杂NB(x)，求自建电场。(2)若NB=NB(0)exp(-t/a))，请证明电中性。(3)高手补充2.(1)写出计算PMOS的VT的公式?(2)已知VGS和各项数据，计算IDSsat和fT?(3)高手补充 二、1.（3）根据图像算系数? J?Sir?友情提示：本题思路是泊松方程?? 2.（3）根据亚阈值摆幅定义，求可能的最小电源电压 一、选择题3%*12:?1.什么效应会直接导致gd变大？?Early?选项忘了:?2.计算高频发射效率什么电流不用考虑？?扩散电容的电流?选项忘了:?3.以下哪个正确?:?A.ineinc?B.ipeine?C.icinc?D.ib=ipe+icbo 推导题部分：1、给一个异质结npn管，推共射极电流放大系数2、计算Vg=2V时的MOSFET的饱和电压以及相应的最大工作频率3、CV?Scaling问Vt?Vdd?Na?Ids?Vds?和功耗密度(P/A)的压缩规则 一。填空题?3x51.pn结中掺Au的作用2.三极管放大的条件：发射结正偏，集电结反偏3.解释early效应4.MOS理想模型与体电荷相比高估了Idssat，为什么？5.增强型-耗尽型反相器为什么充电快二。选择题?3x10三极管??反向击穿特性?基区开路?短路?电阻短路??负电源的击穿电压比较NC掺杂提高有什么用？防集电极穿通，Webster效应，基区穿通，early效应Npn三极管高频时那股电流在计算发射效率时不考虑。就是那个发射结扩散电容提高压阈值摆幅的措施判断下列不属于CMOS反相器的优点：面积小，噪声容限大，功耗小，~当沟道足够短时，源漏饱和电流与哪个成正比？L，Cox，（VGs-VT）平方，选项不记得了三．问答题?2x5解释kirk效应。阐述在CMOS反相器中VT的选择对速度和电压传输特性的影响吧四，推导计算题3x151. 推导npn异质结的理想电流增益。2. 一道很简单但是计算比较复杂的计算题，计算N+栅极，nMOS的阈值电压，该给的都给了，带到VT的表达式中就出来了，然后再计算截止频率，也是代公式。但是据蒋sir的监考情况看，还是有不少人做错。3.推导恒电压微缩原则：（1）NA,VT,VDD的变化规律，是否需要Vib《《VDD（2）推导Idssat，P/A,?Te的变化规则吧