模拟电路第4章节场效应管放大电路.pptVIP

第四章 场效应管放大电路 BJT的缺点：输入电阻较低, 温度特性差。 场效应管(FET)：利用电场效应控制其电流的半导体器件。 优点：输入电阻非常高(高达107~1015欧姆)，噪声低，热稳定性好， 抗辐射能力强，工艺简单，便于集成。 4.1 结型场效应管 4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构: 2. 工作原理 (1) vGS对iD的控制作用 vGS 对沟道的影响： 改变 vGS 的大小，可以有效的控制耗尽层的宽度，从而改变沟道电阻的大小。 若在漏源极间加上固定的正向电压，则漏极流向源极的电流 iD 将受 vGS 的控制。 对N沟道，vGS 减小，沟道电阻增大，iD 减小。 (2) VDS 对 iD 的影响 设：vGSVP且不变 4-1-2 N沟道，JFET的特性曲线 输出特性 iD=f(vDS)|vGS=常数 2区 ：饱和区 （恒流区，线性放大区 ） 0≤ vGS Vp, vGDVp 4区：击穿区  vDS太大，致使栅漏PN结雪崩击穿，FET处于击穿状态.。场效应管一般不能工作在该区域内。 (2) 转移特性曲线 iD= f (vGS)|vDS= 常数 表征栅源电压vGS对漏极电流的控制作用， 场效应管是电压控制器件。 （3）主要参数 夹断电压：VP 当导电沟道刚好完全被关闭时，栅源所对应的电压 vGS 称为夹断电压。 夹断电压与半导体的搀杂浓度有关。 饱和漏电流：IDSS 场效应管处于饱和区，且 vGS=0 时的漏极电流，对于结型场效应管，为最大工作电流。 低频互导：gm gm=diD/dvGS|vDS=常数 反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是转移特性曲线上，静态工作点处的斜率。 输出电阻： rd 输出电阻反映了vDS对 iD的影响，是输出特性上，静态工作点处切线斜率的倒数。 在饱和区内，iD随vDS改变很小，因此 rd 数值很大。 最大漏源电压：V(BR)DS 最大耗散功率： PDM 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.3.1 N沟道增强型MOSFET 金属栅极、SiO2绝缘层、半导体，构成平板电容器。 MOSFET 利用栅源电压的大小，来改变衬底 b表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 1、沟道形成原理 ① vDS=0时，vGS 的作用 vGS加大，将吸引更多的电子到衬底表面，形成自由电子的薄层——反型层。 (表层的导电类型由原来P型转化为N型) N型导电沟道形成。 ② vGSVT且不变 , vDS对沟道的影响 导电沟道形成后， 在vDS的作用下，形成漏极电流iD ， 沿沟道d→s，电位逐渐下降, sio2中电场沿沟道d→s逐渐加大， 导电沟道的宽度也沿沟道逐渐加大，靠近漏极端最窄。 vDS再↑， 使 vGDVT (vDSvGS-VT)夹断点向左移动，沟道中形成高阻区，电压的增加全部降在高阻区，iD基本不变——恒流区。 3 、特性曲线 1区：可变电阻区: vGSVT vGDVT 沟道呈电阻性，iD随vDS的增大而线性增大。 电阻值随vGS增加而减小。 CMOS电路 vi=VDD vGSP=0VTP T1截止 vGSN=VDDVTN T2导通 vo=0 vi=0 vGSP= -VDD VTP T1导通 vGSN=0VTN T2截止 vo= VDD 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET 结构与N沟道增强型相同，但在SiO2的绝缘层中掺有大量的正离子。 当vGS=0时，也能在衬底表面感应出很多的电子，形成N型导电沟道。 4.3.3 场效应管比较 N沟道：vDS0 , iD为电子电流, iDS0（电流实际方向流入漏极） P沟道： vDS0 , iD为空穴电流, iDS0 （电流实际方向流出漏极） 4.4 场效应管放大电路 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析 例 4.4.2 FET的小信号模型分析法 应用小信号模型分析FET的放大电路 共源放大: 源极电阻上无并联电容: 共漏极放大器 (源极跟随器) 输出电阻 * 根据结构不同分为：结型场效应管(JFET); 绝缘栅型场效应管(MOSFET) 根据沟道性质分为：N沟道; P沟道 根据偏压为零时沟道能否导电分为：耗尽型，增强型 场效应管工作时，只有一种极性的载流子参与导电， 所以场效应管又称为单极型晶体管。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 200