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数字控制实现带有源缓冲的高可靠性DC-DC功率转换
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数字控制实现带有源缓冲的
高可靠性DC-DC功率转换
作者:Subodh Madiwale
ADI公司
请访问:/cn
摘要
一般而言,在高输出电流隔离式DC-DC电源应用中,使用
同步整流器(尤其是MOSFET)是主流趋势。高输出电流还
会在整流器上引入较高的di/dt。为了实现高效率,MOSFET
的选择主要取决于导通电阻和栅极电荷。然而,人们很少
注意寄生体二极管反向恢复电荷(Qrr)和输出电容(COSS)。这
些关键参数可能会增大MOSFET漏极上的电压尖峰和振铃。
一般而言,随着MOSFET击穿电压额定值的增大,导通电阻
也会增大。本文提出一种数控有源钳位吸收器。该吸收器
既可消除同步整流器上的电压尖峰和振铃,还能发挥设计
指南作用;在隔离式DC-DC转换器(如半桥和全桥拓扑结
构)中拥有多种其他优势,同时还能提高可靠性,降低故
障率。
简介
人们总是希望使用平均故障间隔时间(MTBF)较高的高可靠性电
源。要打造稳健的设计,可以使用额定击穿电压较高的开关。
但这样做会丧失一定的效率。因此,高效率和高可靠性在实际
图1. 功率转换器副边(图中所示为有源钳位)
应用中往往不可兼得。作为新一代电源解决方案的一部分,工
业界一直对高效率隔离式DC-DC转换器保持着稳定的需求。这
就要求在副边使用同步整流器。整流器的额定值一般是器件电
压尖峰的1.2至1.5倍。电压尖峰由漏感、寄生走线电感和整流
器输出电容(COSS)形成的谐振所导致,谐振峰值可能高达整流器
稳态反向电压的两倍。一种解决方案是用无源吸收器充当RC1或
RCD2。虽然这些器件非常流行,但有损耗,会导致效率略微下
降。用于制造无损吸收器的部分技术采用的是再生吸收器(如
LCD3),但吸收器仅用于原边开关,或者只在电源开关关闭而
非开启期间使用RC吸收器。其他技术4,5运用泄漏电能来驱动小
型高效率转换器,馈入输出电压终端。但这要求使用更多的元
件。其他技术6则将有源钳位吸收器用于全桥相移拓扑结构,以
便消除在ZVS软开关应用中由原边谐振电感导致的谐振,但仅
限于低占空比应用。
本文将深入探讨有源钳位吸收器电路及其数字实现方式,该吸
收器电路可以避免电压偏移,特别是能消除MOSFET中寄生二极
管的反向恢复损耗,还具有多种其他优势。转换器(仅副边)
功率级示意图如图1所示。
Secondary
VOUT–
1
+
COUT
1
2
VOUT+
1
PGND
BSC017N04NSG 3
2
Primary
LOUT
1 2
BSC017N04NSG 3
2
SR2_bot_dr
SR1_top_dr SR2_top_dr
R116
0 kΩ
GPIO3_dr
D62
1N5819
2
1
C120
0.1 μF
R122
10 kΩ
Si7309DN
1
2 3
Clamp Snubber
100 nF
10 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
BSC017N04NSG 3
2
2 11
7
3
4
5
BSC017N04NSG 3
2
SR1_top_dr
2 数字控制实现高可靠性DC-DC功率转换及有源缓冲
图1展示的是一款隔离式DC-DC转换器的副边。副边由同步整流
构成,同步整流表现为连接变压器的H-桥。另外还有输出滤波
器电感(LOUT)和输出滤波器电容(COUT)。有源钳位开关是一个P沟道
MOSFET,用于转换栅极信号电平的栅极驱动由一个电容和一个
二极管构成。
高频等效电路
在高频视图中,大电感和大电容分别处于开路和短路状态,电
路分析中只使用寄生和谐振电感及电容。利用这种方法可以简
化电路,以便分析交流电流。该方法特别适用于谐振拓扑结构
和使用吸收器的场合,因为在缓冲周期中,高频电流会选择阻
抗最低的路径。
电路的交流视图如图2所示。输出滤波电感和电容分别处于开
路和短路状态。在电路中,MOSFET的输出电容和漏电电感保持
原样。重点是转换器的副边,因为原边电压源已短路并且对分
析无用。
同步FET有源钳位电路的工作原理
在分析中,我们假设,吸收器电容足够大,能维持电压恒定不
变。在续流间隙(在图3中,SR1和SR2均开启),四个副边开
关(MOSFET)全部开启。受有限上升和下降时间以及栅极驱动信
号传播延迟变化的影响,同步整流器信号之间始终存在较短的
死区时间。在该死区时间期间,MOSFET的寄生二极管会导通以
续流。其后是下一半开关周期,此时,原边MOSFET的另一个引
脚启动。这会导致变压器绕组上的极性发生变化,同时关闭同
步整流器体二极管。然而,只要反向恢复电荷(Qrr)未耗尽,同
步MOSFET的寄生二极管就不会关闭。方向如图2所示。该Qrr被
视为作为前沿尖峰从变压器反映到原边的多余电流。这还会增
大
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