基板温度对真空热蒸发的SnS薄膜性能的影响JIAHong-jie,.ppt

基板溫度對真空熱蒸發的SnS薄膜性能的影響JIA Hong-jie，CHENG Shu-ying(State Key Laboratory Breeding Base of Photocatalysis and College of Physicsand Information Engineering，Fuzhou University。Fuzhou 350002，China) 指導老師:王聖璋 教授 學生:張哲豪.江政勇 Outline 摘要 前言 實驗流程圖 實驗步驟 結果與討論 結論 摘要 利用真空熱蒸發法在玻璃基板上製作SnS薄膜,在50℃~200℃之間,研究了基板溫度對SnS薄膜的结構、形貌和光電性能的影響。 结果說明,隨著基板溫度的升高,SnS薄膜的结晶度越好,薄膜變得更光滑,薄膜顆粒也增大了。 在不同基板溫度下,所製作的薄膜都是具有正交结構的多晶SnS,在(111)晶面上有很强的擇優取向,其導電類型都為P型。 前言 Ⅳ．Ⅵ族化合物SnS是具有立方晶體结構的半導體材料，由於S和Sn元素儲量豐富,SnS無毒,其光學能隙為1.3 eV~1.5eV,與太陽幅射中的可見光有很好的光譜匹配,其理論光電轉換效率可達25％，吸收係數α104cm-1。適合當作太陽能電池的吸收層材料。 一般來說,材料表面结構的微小變化都會引起材料性能的改變,使器件性能發生較大的改變,所以材料結構對器件性能產生重要的作用 實驗步驟 實驗利用DMDE-450光學多層鍍膜機將SnS粉末直接真空熱蒸發到玻璃基板上。 由於基板潔淨程度直接影響到薄膜質量的好壞,因此在本實驗中制定了嚴格的玻璃基板清洗過程 用纯度為99.5％的SnS粉末作為原材料,以陶瓷坩鍋為蒸發源,採用真空熱蒸發技術製作SnS薄膜 實驗中改變的參數主要是基板溫度,分别為50℃，150℃和200℃ 結果與討論 圖1a可以看出,薄膜在(111),(101),(021),(120),(131),(141),(002),(211),(151),(122)和(042)(20分别為31.7lo ,30.75o ,27.53o,26.23o,39.25o ,44.15o ,45.45o ,49.49o , 51.15o ,53.23o 和56.41o)等方向具有明顯的繞射峰,這與卡號為JCPDS39-354的標準SnS繞射峰比較吻合,表明所得樣品是正交结構的SnS薄膜。 圖2所示分别是基板溫度為50℃,150℃和200℃製作的SnS薄膜的原子力(AFM)圖片,圖片尺寸均为10μmx 10μ m。 由圖可以看出,薄膜表面致密,晶粒均匀,具有很好的微结構。 本文在常溫下,對所製作样品進行霍爾測量。 表1列出了樣品的載子濃度、霍爾遷移率、電阻率和霍爾係數的測試结果。 結論 隨著基板溫度的提高,薄膜的结晶度越好。說明基板溫度的升高能夠减小薄膜表面粗糙度,有利於薄膜顆粒的生長 基片温度从50℃升高到200℃時,載子濃度從7.118×1013 cm-3提高到2.169×1015 cm-3,而电阻率从641.8 Ω·cm降低到206.2 Ω·cm,但薄膜的導電類型不受基板溫度影響,都是P型。 說明基板溫度對薄膜的表面形貌和電學性能均有一定影響,但對其物相结構和導電類型没有影響。 * * 霍爾效應研究半導體性能 DMDE-450光學多層鍍膜機 利用真空熱蒸發法蒸發到基板上 XRD 晶體結構分析 AFM表面形貌 實驗流程圖 SnS粉末 (99.5％) 超音波震盪機清洗基板 浸泡鉻酸2hr 丙酮,無水乙醇 15min 蒸餾水 15min 烘烤1hr 160℃ 圖1不同基板溫度下製作的SnS薄膜樣品的XRD譜圖 圖2不同基板溫度下製作的SnS薄膜樣品的AFN圖 表1不同溫度下製作的SnS薄膜樣品的Hall測試