2006年春季A卷.docVIP

哈尔滨工业大学（威海） 2005 /2006 学年 春季学期 集成电路设计原理 试题卷（A） 考试形式（开、闭卷）： 闭 答题时间： 120 （分钟） 本卷面成绩占课程成绩 70 % 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 卷 面 总 分 平 时 成 绩 课 程 总 成 绩 分数 得分 一、填空题（每题1分，共15分） 在MOS电流镜电路中沟道长度选择大一些有利于_______（增大、减小）电流源的输出电阻和减小__________________效应对输出电流的影响。 在N阱CMOS集成电路中，n阱作为___________管的衬底，一般接________电位。 NMOS传输门不能很好地传输__________电平, 其W/L越大，导通电阻越 ，传输速度越 。 有比电路是指输出低电平与输入管和负载管的____________之比有关。 集成电路中的元器件因为要做在同一个衬底上，因此不同于分离器件，会存在 。 写出考虑沟道调制效应时MOS管工作在饱和区的漏极电流公式 。 采用全定制(full-custom)方法设计的集成电路集成度 （高、低），适用于 （通用、专用）集成电路芯片的设计。 一个DAc工作时的参考电压为Vref，接收n位的数字信号(b1b2…. bn)，最低有效位用LSB表示，则LSB等于 ，其分辨率为 ，量化噪声最大为 。 得分 二、（共15分） 右图是一N阱CMOS工艺电路的版图。 画出对应的电路图（7分）； 分析电路功能，写出逻辑表达式（2分）； 按工艺流程的先后顺序，写图中所用到的光刻掩膜版名称，并在图中选择典型图形标明（6分）。 得分 三、（共8分） 下图中Vin为一模拟集成电路的一输入端，为其画出采用MOS管形式的抗静电保护电路，阐述其工作原理并说明对保护管尺寸有何要求（8分）； 得分 四、（共10分） 说明TTL电路单管逻辑门级联时的三问题（3分）； 简述ECL电路和I2L电路的特点（4分）； 阐述CMOS电路中抗闩锁设计的重要性（3分）。 得分 五、（共20分） 画出典型pn结隔离工艺双极型集成电路中的单基极条形npn晶体管的平面图（版图）和对应的剖面图（10分）； 按工艺流程先后顺序写出所需的光刻掩膜版名称，同时在图中对应图形上标明（10分）。 得分 六、（共12分） 右图是一个CMOS门电路，PMOS管的宽长比为(W/L)P，NMOS管的宽长比为(W/L)N。 写出逻辑表达式，说明该电路的功能(2分)； 如果将它用作反相器，有哪几种方式（2分）？ 这几种方式所构成的反相器在性能上有何不同（瞬态功耗、下降时间tf）？为什么？(8分) 得分 七、（共20分） 分析图示电路中各器件的作用（3分）； 设M1和M2管跨导均为gm，用Rss等效M3的阻抗，忽略M1和M2管的沟道调制效应，推导出差模增益和共模增益（17分）。 姓名: 班级： 学号： 遵 守 考 试 纪 律 注 意 行 为 规 范 教研室主任签字： 第 1 页（共 8 页） Vin 遵 守 考 试 纪 律 注 意 行 为 规 范 第 2 页（共 8 页） F C B A 第 4 页（共 8 页） VSS MN