超声C扫描在CSiC复合材料与钛合金薄板钎焊质量中的应用.pdfVIP

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超声C扫描在CSiC复合材料与钛合金薄板钎焊质量中的应用.pdf

超声 C 扫描在 C/SiC 复合材料与铁合金薄板 纤焊质量中的应用 罗明 张颖 吴时红 赵建华 何双起 (航天材料及工艺研究所,北京 100(76) 文摘 通过超声水浸脉冲法对 C/SiC 复合材料的声阻抗进行测定,结果表明,其声阻抗介于(4.0 -4. 7)x10 6 kglm2 s 之间;未焊合时界面反射系数约为 1 ,焊接良好时界面反射系数介于 0.71 -0.74 之间。为使未 焊合时界面反射信号幅度比焊接良好时至少相差 6 dB , C 扫描检测时应监测二次以上界面反射信号幅度,并采 用金相的方法对 C 扫描结果进行验证,二者一致性较好。 关键词 超声 C 扫描, C/SiC 复合材料,铁合金薄板,针焊质量 中圈分类号 :TB553 DOI: 10. 3969/j. issn. 1007-2330.2015.06.019 Application of Ultrasonic C-scan in the Brazing Quality of C/SiC Composite and Titanium Alloy LUO Ming ZHANG Ying WU Shihong ZHAO Jianhua HE. Shuangqi (Aerospace Research Instítute of Materials Processi吨 Technology , Beijing 1侃泊76) Abs缸act 币le sound impedance of C/SiC composite is measured by the methocl of ultrasonic immersing pulse echo ,and which is between 4. Ox10 6 kglm 2 s and 4. 7xl0 6 kglm 2 s. The relationship of ref1ection is about 1 when there is crack in brazing interface and it is between 0.71 and 0.74 when there is no crack. For the difIerential value of the amplitude of reflection wave is at least 6 dB between two status , the amplitude of more than second reflection wave will be monitored when C-scan. The result of C-scan is certified by metallographic analysis , and the uniformity of both is gωd. Key words Ultrasonic C-scan , C/SiC composite , Titanium a11oy , Brazing quality o ~I言 C/SiC 复合材料(以下简称C/SiC)具有轻质、高 模、高热导率、低热膨胀系数、高温抗氧化等优异性 能,是很好的高温结构材料,被广泛应用于航空航天 领域[叫,在国外,C/SiC 与铁合金奸焊复合结构己被 应用于超然冲压发动机的主动冷却结构中[3] ,而国 内 C/SiC 与铁合金的连接技术研究还处于探索阶段, 目前国内外对于此方面的研究内容鲜有报道[4] 。 由于C/SiC 与铁合金在物化性质和力学性能方 面存在较大差异,给其连接带来很大的困难,常出现 孔洞、开裂等未焊合缺陷[叫。该类缺陷往往平行于 焊接面,呈线状或面状[4] ,这类缺陷的存在对材料的 收稿日朔: 2015-04-15 作者简介:罗明, 1983 年出生,博士,主要从事超声无损检测技术研究 宇航材料工艺 2015 年第6 期 力学性能造成严重影响,因此,开展该结构奸焊质量 的无损检测技术研究具有十分重要的意义,本文以 C/SiC 与铁合金薄板奸焊结构为研究对象,该结构采 用 BNi68+Ti 复合舒料通过真空纤焊而成,将利用超 声脉冲反射法对该结构奸焊质量开展无损检测技术 研究。 1 检测原理 1.1 界面反射特征 鉴于 C/SiC 的结构特性,其对声波的衰减严重, 若采用脉冲反射法,声波只能从铁合金一侧人射,通 过监测铁合金(纤层)/C/SiC 界面反射信号幅度强弱 判断焊接质量。式(1 )表示了界面反射声压与声阻 - 87 一 抗的关系,可知界面信号幅度强弱主要由界面两侧材 料声阻抗决定。 z-zr - - +-o 句 , ?? 。 , ‘ , , r z - z= = rp· ,EE E E

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