3.3数字集成电路探索.ppt

　　请在电路试验板上搭接图所示电路，其中，VA、VB、VC、VD分别是CC4011中的四个与非门。VA和VB组成单稳态触发器，当光线变暗，使RG的数值大到一定程度时，从10脚会出现一个宽度(持续时间)一定的高电平，其持续时间tw约为0.7C1·R1。VC、VD组成多谐振荡器，在2脚为高电平时，多谐振荡器将产生周期性矩形波，其周期约等于1.4C2·R3。 　　用手遮一下光敏电阻RG(MG4)，听蜂鸣器呜叫的声音，记录呜叫持续的时间。 　　讨论：该电路有何用途? 第三节 数字集成电路 第一课时：半导体管的的开关特性 　　逻辑0和1： 电子电路中用高、低电平来表示。 　　逻辑门电路：用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。 　　基本和常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。 不同类型的逻辑电路，其高、低电平的电压值有不同的界定规则。 在右图所示用电阻和开关构成的电路中，开关闭合，开关所呈现的电阻为0，使得开关两端的电压也就是输出电压为0，输出低电平；反之，若开关断开，因为电阻R上没有电流流过，R上的电压为0，所以输出电压等于电源电压，即输出高电平。因此，用开关可以实现高、低电平，这是构成门电路的基础。 门电路中的开关不能使用机械开关，因为机械开关不仅体积大、寿命短、操作不方便，而且开关的速度低。在现代高速电子控制系统中，开关每秒可能要开合上亿次，机械开关是绝对无法胜任的，必须使用电子开关，即用晶体管或MOS管(金属氧化物半导体场效应管)做成的开关。例如，用晶体三极管代替图中开关得到的电路如右图所示。 1、二极管的开关特性 二极管符号： 正极 负极 ＋　uD 　－ 　　获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。 Ui0.5V时，二极管截止，iD=0。 Ui0.5V时，二极管导通。 uo uo ui＝0V时，二极管截止，如同开关断开，uo＝0V。 ui＝5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源，uo＝4.3V。 二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。 1、二极管与门 Y=AB 2、二极管或门 Y=A+B 晶体三极管的结构及类型 三极管都有发射极e、基极b和集电极c三个电极。有两种类型：PNP和NPN型三极管。 三极管的基本特性 2、三极管的开关特性 饱和区 截止区 放 大 区 电路试验 3V电源 3V电源 开关 6V灯泡 NPN三极管 100欧姆电阻 47K电位器 发光二极管 通过试验我们可以发现，三极管存在截止和饱和两种状态，截止状态相当于开关断开，饱和状态相当于开关闭合，因而可以当作开关使用，其条件与现象是： 饱和：条件——输入信号足够大（高电平）； 现象——三极管流过的电流较大，而集电极与发射极之间的电压只 有0.2V左右（低电平） 截止：条件——输入信号足够小（低电平）； 现象——三极管没有电流流过，集电极与发射极之间的电压与电源 电压相近（高电平） 第二课时： 三极管非门和集成电路 1、三极管非门 ①uA＝0V时，三极管截止，iB＝0，iC＝0，输出电压uY＝VCC＝5V ②uA＝5V时，三极管导通。基极电流为： iB＞IBS，三极管工作在饱和状态。输出电压uY＝UCES＝0.3V。 三极管临界饱和时的基极电流为： ①当uA＝0V时，由于uGS＝uA＝0V，小于开启电压UT，所以MOS管截止。输出电压为uY＝VDD＝10V。 ②当uA＝10V时，由于uGS＝uA＝10V，大于开启电压UT，所以MOS管导通，且工作在可变电阻区，导通电阻很小，只有几百欧姆。输出电压为uY≈0V。 试验目的： 观察晶体三极管的开关特性。 试验准备： 晶体三极管3DK4C 1只，10kΩ、2.2kΩ电阻各1只，3V(或5V)电源1只，多用电表。 小试验 MOS管的开关特性 G是栅极，相当于基极，用来控制电流的大小。 D是漏极，相当于集电极，通常通过电阻接电源。 S是源极，相当于发射极，通常接地。 晶体三极管和MOS管的区别 普通的晶体三极管是电流控制的器件，即基极必须注入电流方能使三极管导通。 MOS管属于电压控制器件，在栅极和源极之间加适当的电压就能使MOS管导通。 二、常用数字集成电路的类型 小规模集成电路(SSI)：集成晶体管数在100个以内 中规模集成电路(MSI)：晶体管数在102~103个 大规模集成电路(LSI)：晶体管数在103~105个 超大规模集成电路(VLSI)：晶体管数在105~107个 特大规模集成电路(ULSI)：晶体管数在107~109 巨大规模集成