合工大初试1第一章：半导体物理基础1选编.pptVIP

Physics of Semiconductor Devices 主要讲授内容 1、半导体物理基础 2、PN结 3、双极结型晶体管 4、金属-半导体结 5、JFET和金属-半导体场效应晶体管 6、MOS场效应晶体管 课程要求 掌握半导体器件的原理、特点及应用 学习分析各类半导体器件的方法 提高解决实际问题的能力（器件设计） 要求 平时成绩 30% 期末考试 70％ References S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd Ed, Wiley, 1981 Y. Taur T. K. Ning, Fundamentals of Modern VLSI Devices, Cambridge Univ. Press, 1998 M. Shur, Introduction to Electronic Devices, John Wiley, 1996 Robert F. Pierret, Advanced Semiconductor Fundamentals, 2nd Ed, Prentice Hall, 2002 刘树林，半导体器件物理，电子工业出版社，2005 曹培栋，微电子技术基础—双级、场效应晶体管原理，电子工业出版社，2001 陈星弼，唐茂成，晶体管原理与设计，成都电讯工程学院出版社，1987 张屏英，周佑谟，晶体管原理，上海科学技术出版社，1985 半导体器件物理 作者： 孟庆巨 刘海波 出版社： 科学出版社 出版日期：2005-6-2 ISBN：7030139518版次：第1版 晶体管原理与设计(第2版)作者：陈星弼//张庆中出版社：电子工业 第1版 第2次印刷ISBN：7121022680出版日期：2006-02-01 半导体器件电子学（英文版） 作者：（美）沃纳，格朗 著 出版社：电子工业出版社ISBN：7505379623印次：1 出版日期：2002-9-1 版次：1 半导体器件电子学——国外电子与通信教材系列 作者：（美）沃纳，（美）格朗 著，吕长志 等译 出版社：电子工业出版社ISBN：7121008823印次：1 出版日期：2005-2-1 字数：1069000版次：1 Physics of Semiconductor Devices by Simon M. Sze Wiley-Interscience; 2 edition (September 1981) Advanced Semiconductor Fundamentals (2nd Edition) by Robert F. Pierret Prentice Hall; 2 edition (August 9, 2002) 课程网址/2006/psd/ 半导体器件物理基础 半导体中的电子和空穴 半导体的结构 半导体的能带 半导体中的载流子 半导体的类型及其掺杂 半导体中载流子的统计 半导体中载流子的输运 漂移和扩散 产生和复合 迁移率、扩散系数 速度饱和 半导体器件 据统计：半导体器件主要有67种，另外还有110个相关的变种 （2000） 所有这些器件都是由少数的基本模块构成： 金属－半导体接触 pn结 MOS结构 异质结 量子阱 前言： 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间(电阻率)。 半导体一些重要特性： 1、电阻率具有温度效应； 2、掺杂可改变电阻率； 3、适当波长的光照可改变导电能力； 4、其导电能力随电场、磁场的作用而改变。 概括的说：半导体的特性受到温度、光照、磁场、电场和微量杂质含量的影响而改变 导体 半导体 绝缘体 一 半导体的晶体结构二 晶体的晶向与晶面三 半导体中的缺陷 1.1 半导体晶体结构和缺陷 固体： 1、晶体： 具有一定的外形、固定的熔点，更重要的是组成晶体的原子（或离子）在至少微米量级的较大范围内都是按一定的方式规则排列而成，称为长程有序。 单晶：单晶－主要是由原子（或离子）的一种规则排列。 元素半导体，如 Ge、Si； 化合物半导体，如GaAs 多晶：是由很多晶粒杂乱地堆积而成的。 2、非晶态半导体： 没有规则的外形，没有固定的熔点，内部结构不存在长程有序，只是在若干原子间距内的较小范围内存在结构上的有序排列，称为短程有序。如：非晶态硅，非晶态锗等。 一 半导体的晶体结构 SolidsSolids can be classified as crystal, polycrystalline