* * 5.3 热释电器件 热释电器件是一种利用某些晶体材料自发极化强度随温度变化所产生的热释电效应制成的新型热探测器件。它相当于一个以热电晶体为电介质的平板电容器。热释电器件具有以下优点: ① 具有较宽的频率响应,工作频率接近兆赫兹,远远超过其它热探测器的工作频率。一般热探测器的时间常数典型值在1-0.01s范围内,而热释电器件的有效时间常数可低达10-4-3×10-5 s; ② 热释电器件的探测率高,在热探测器中只有气动探测器的D*才比热释电器件稍高,且这一差距正在不断减小; ③ 热释电器件可以有大面积均匀的敏感面,而且工作时可以不外加接偏置电压; (4) 热释电器件受环境温度变化影响小。 (5) 只对入射的交变辐射有响应,对入射的恒定辐射无响应。 5.3.1 热释电器件的基本工作原理 1. 热释电效应 某些物质吸收光辐射后将其转换成热能,这个热能使晶体的温度升高,温度的变化又改变了晶体内晶格的间距,这就引起在居里温度以下存在的自发极化强度的变化,从而在晶体的特定方向上引起表面电荷的变化,这就是热释电效应。 热电晶体:具有非中心对称的极性晶体 铁电体的自发极化强度PS(单位面积上的电荷量)随着温度的升高而降低,当温度升高到一定值,自发极化突然消失,这个温度常被称为“居里温度”或“居里点”。 在居里点以下,极化强度PS是温度T的函数。利用这一关系制造的热敏探测器称为热释电器件。 当红外辐射照射到已经极化的铁电体薄片时,引起薄片温度升高,表面电荷减少,相当于热“释放”了部分电荷。释放的电荷可用放大器转变成电压输出。如果辐射持续作用,表面电荷将达到新的平衡,不再释放电荷,也不再有电压信号输出。因此,热释电器件不同于其他光电器件,在恒定辐射作用的情况下输出的信号电压为零。只有在交变辐射的作用下才会有信号输出。 对于经过极化处理的热释电晶体,其面束缚电荷密度σ与自发极化强度Ps之间的关系可由下式确定。 式中,S和d分别是晶体的表面积和厚度。 (5-34) 1.热释电效应 热“释电”的物理过程 热电晶体-- 极化强度与温度关系 温度低 温度高 1.热释电效应 热“释电”的物理过程 热电晶体 --“释放” 电荷 恒温T1 电荷中和时间τ :1~1000秒 温升到T2 --束缚电荷减少 极化驰豫时间--皮秒 1.热释电效应 温升 --等效结果 晶体表面“释放”了电荷 --热释电效应 --输出电信号 恒温T1 电荷中和时间τ :秒~小时 温升到T2 --束缚电荷减少 极化驰豫时间--皮秒 2. 热释电器件的工作原理 设晶体的自发极化矢量为Ps,Ps的方向垂直于电容器的极板平面。接收辐射的极板和另一极板的重迭面积为Ad。由此引起表面上的束缚极化电荷为 Q = AdΔσ=AdPs (5-35) 若辐射引起的晶体温度变化为ΔT,则相应的束缚电荷变化为: ΔQ =Ad(ΔPs/ΔT)ΔT =? AdγΔT (5-36) 式中,γ = ΔPs/ΔT称为热释电系数,其单位为c/cm2?K,是与材料本身的特性有关的物理量,表示自发极化强度随温度的变化率。 若在晶体的两个相对的极板上敷上电极,在两极间接上负载RL,则负载上就有电流通过。由于温度变化在负载上产生的电流可以表示为 (5-37) 热释电器件产生的热释电电流在负载电阻RL上产生的电压为 (5-38) 如果将热释电器件跨接到放大器的输入端,其等效电路为如图5-17所示。由等效电路可得热释电器件的等效负载阻抗为 这里,R(=Rs//RL)和C(=Cs+CL)分别为热释电器件和放大器的等效电阻和等效电容。则ZL的模值为 (5-40) 对于热释电系数为γ ,电极面积为Ad 的热释电器件,其在以调制频率为ω的交变幅射照射下的温度可以表示为 (5-41) 式中,T0为环境温度,ΔT0表示热释电器件接收光辐射后的平均温升, 表示与时间相关的温度变化。 (5-42) (5-43) 输入到放大器的电压为: 式中,τT=Cθ/G为热释电器件的热时间常数, 输出电压的幅值为 式中,τe=RC为电路时间常数,R =Rs∥RL,C=Cs+CL。τT =Cθ/G为热时间常数。τe、τT的数量级为0.1~10s左右。Ad为光敏面的面积,α为吸收系数,ω为入射辐射的调制频率。 5.3.2 热释电器件的灵敏度 热释电器件的电压灵敏度Sv为输出电压的幅值U与入射光功率之比,电压灵敏度为 (5-46) (1) 当入射为恒定辐射,即ω=0时,Sv=
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