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十一章半导体发光器件.ppt-不再因为别人过得好而焦虑-中国科学技术
半导体发光器件
中国科学技术大学 明海
第十一章
内容提要:
§ 11.2半导体激光器概述
§ 11.3半导体激光器原理
§ 11.4半导体激光器特性
§ 11.5同质结和异质结激光器
§ 11.6分布反馈半导体激光器
§ 11.7量子阱半导体激光器
§11.1半导体发光二极管(LED)
§11.1半导体发光二极管(LED)
LED:材料为半导体,结构为pn结组成的,能发光 的二极管。
特点: 发射波长覆盖可见光——红外——远红外,
结构比较简单。是至今世界上应用最多,产
量最多的光电产品。产量巨大,价格便宜,
工作稳定,使用简单。
发光二极管的分类:
1. 按材料分类:依据芯片的材料,外延层,掺杂杂质,可大致
估计出发光二极管的颜色,波长等基本特性。
2.按发光颜色分类:发光二极管的发光颜色有红,橙,绿,蓝,
双色,三色等多种,以及近红外和红外等不可见的发光管。
3. 按器件封装:封装种类很多,有环氧树脂全包封,金属底座环
氧封装,陶瓷底座环氧封装,和玻璃封装等。
4.发光面特征:采用不同的表面封装,会有不同的效果,如
半球状有会聚光的作用。按封装表面的形状可分圆形,方形,
矩形,面发光管,侧向发光管,微形发光管等多种。
5.按发光强度:发光强度小于10(mcd )毫坎德拉(cd定义:
波长为550nm的单色光源发光时,若其在某一方向上辐射强度
为1/681W/sr ( 瓦/球面度 )则称此单色光源在该方向上的发光强
度为1坎德拉,既1cd)为普通亮度发光管,10—100mcd为高亮
度发光管,100mcd以上的称超高亮度发光管。
6. 按应用:有指示灯,照明灯,数码显示器,短距离光通信
光源等。
能带:半导体晶体由于原子间的
相互作用而使能级分裂,离散的
能级形成能带
能带结构:能带分为价带,导
带和禁带。
价带:晶体中原子内层电子能级
相对应的能带被电子所填满.
导带:价带以上未被电子填满或
者是空的能带
禁带:导带和价带之间的能隙.
半导体的能带结构
发光二极管原理
载流子:在热运动或其他外界激发下,价带电子激发跃迁至导带,这时导带有了电子,价带有了空穴,电子和空穴统称为载流子。
在热平衡时,电子在能带中能级上的分布服费米分布:
费米能级 半导体能级的一个特征参量,并非实在的能级,它由基质材料掺杂浓度和温度决定,反映电子在能级上的分布情况。对于本征半导体,费米能级在禁带宽度的中间位置。价带中的能级有 ,导带中的能级有
费米能级
玻尔兹曼常数
绝对温度
能帶弯曲:半导体材料加入施主杂质,成为N型材料,加入受主杂质,成为P型材料。在P型和N型的交接处形成PN结。由于载流子浓度的不同而产生扩散,直至不同的费米能级处于相等位置,这时,能带产生弯曲,形成PN结势垒
PN结:
pn结注入电致发光原理图
Pn结接触面处有一个耗尽层,形成
势垒阻碍电子和空穴的扩散。
当在pn结施加正向电压时,会使
势垒高度降低,耗尽层减薄,能量
较大的电子和空穴分别注入到P区
和N区,同P区和N区的电子复合,
同时以光的形式辐射出多余的能量
辐射复合可以发生在导带与价带之间
,也可以发生在杂质能级上。根据材
料能带结构的不同,将带间复合分成
直接带间跃迁和间接带间跃迁
半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体PN结加有正向电压时,使势垒下降,发生“载流子注入”。这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将发生复合,从而发射出某种波长的光子。由于电子与空穴复合即表示电子从导带落入价带。从而光子能量基本等于禁带宽度。
(11.2)
11.3.2半导体中的光发射
自发辐射:光发射时有
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