和发光二极管-内蒙古工业大学.ppt

第 3 章 通信用光器件 杜云刚 ygdu2004@163.com 内蒙古工业大学物理系 光发射机 将电信号转变为光信号 3.1 光源 3.1.1 半导体激光器工作原理和基本结构 3.1.2 半导体激光器的主要特性 3.1.3 分布反馈激光器等 3.1.4 发光二极管 3.1.5 半导体光源一般性能和应用 3.2 光检测器 3.2.1 光电二极管工作原理 3.2.2 PIN 光电二极管 3.2.3 雪崩光电二极管(APD) 3.2.4 光电二极管一般性能和应用 3.3 光无源器件 3.3.1 连接器和接头 3.3.2 光耦合器 3.3.3 光隔离器与光环行器 3.3.4 光调制器 3.3.5 光开关 通信用光器件可以分为有源器件和无源器件两种类型。  光无源器件主要有连接器、耦合器、波分复用器、调制器、光开关和隔离器等。  有源器件包括光源 光检测器 光放大器 关键器件，和光纤一起决定着基本光纤传输系统的水平 3.1 光源 光源是光发射机的关键器件，其功能是把电信号转换为光信号。目前光纤通信广泛使用的光源主要有： 光纤通信对光源的要求？ 半导体激光二极管或称激光器(LD laser diode) 发光二极管或称发光管(LED light-emitting diode) 固体激光器（掺钕钇铝石榴石 Nd:YAG） Photonic Products公司推出最新采用尾纤封装和插座封装的高性能激光二极管产品 1310-1550nm fibre pigtailed laser diodes 1310-1550nm receptacle packaged laser diodes 一、半导体激光器工作原理和基本结构 半导体激光器是向半导体PN结注入电流， 实现粒子数反转分布，产生受激辐射，再利用谐振腔的正反馈，实现光放大而产生激光振荡的。 GaAs半导体激光器 正向偏压电压 激光束 热驱 金属 高p-掺杂GaAs SiO2 金属 p-掺杂GaAlAs GaAs n-掺杂GaAlAs 高n-掺杂GaAs 在电压作用下价带内的电子被激发到导带，在价代内就相应形成空穴。图中带有（＋）号的园圈代表空穴，带（－）号的园圈代表价带中的电子。 几个导带中的电子与价带中的空位自发的重新结合便产生光子，这些光子在传播中会进一步激发其它电子－空穴对的结合并发射光子。这几个波长和相位相同的光子又被端部的反射面反射回半导体内。? ???同时，流过半导体内的电流又产生新的电子－空穴对。反射后的光子在半导体内传播过程中又使其它 电子－空穴对结合并发射光子，于是同相位的单色激光束的强度愈来愈大，部分光束便穿透部分透明的窗口射出。 二、半导体激光器的主要特性 （一）发射波长和光谱特性 镓铝砷-镓砷(GaAlAs-GaAs)材料适用于0.85 μm波段 铟镓砷磷 - 铟磷(InGaAsP-InP)材料适用于1.3~1.55 μm波段 GaAlAs 0.8-0.9μm 1.4-1.55eV GaAs 0.87μm 1.42eV InGaAsP 0.9-1.7μm 0.73-1.35eV InP 0.92μm 1.35eV 在直流驱动下， 发射光波长只有符合激光振荡的相位条件式 驱动电流变大，纵模模数变小 ，谱线宽度变窄。 这种变化是由于谐振腔对光波频率和方向的选择，使边模消失、主模增益增加而产生的。 当驱动电流足够大时，多纵模变为单纵模，这种激光器称为静态单纵模激光器。 随着调制电流增大，纵模模数增多，谱线宽度变宽。 对激光器进行直接强度调制会使发射谱线增宽，振荡模数增加。 这是因为对激光器进行脉冲调制时，注入电流不断变化，使有源区里载流子浓度随之变化，进而导致折射率随之变化