固体物理-王雪华课件L22-半导体电子论.pptVIP

第六章 半导体电子论 一 半导体的带隙 二 带边有效质量 §6-1 半导体的基本能带结构 导带 价带 ｛ 一般温度下，导带底有少量电子，价带顶有少量空穴，半导体的导电就是依靠导带底的少量电子或价带顶的少量空穴 一 、半导体的带隙 1、本征光吸收与本征吸收边 光照激发价带的电子到导带，形成电子－空穴对， 这个过程称为本征光吸收 本征光吸收光子能量满足 或 可见存在长波限： 本征吸收边 2、本征吸收边附近的两种光跃迁 2.1 竖直跃迁：导带底和价带顶在k空间相同点 e 0 k 跃迁： 必须满足： 能量守恒 准动量守恒 光子动量 讨论本征吸收边时光子动量可略去: k=k’ 在能带图中初末态在几乎同一条直线上，所以称为竖直跃迁 导带边 价带边 直接带隙 2.2 非竖直跃迁：导带底和价带顶在k空间不同点 e 0 k 导带边 价带边 能量守恒 电子能量差＝光子能量 （略去声子能量） 准动量守恒（略去光子动量） *非竖直跃迁中光子主要提供跃迁所需要的能量，而声子则主要提供跃 迁所需要的准动量 *非竖直跃迁是一个二级过程，发生几率较竖直跃迁要小得多 导带底和价带顶处在k空间同一点的半导体称为直接带隙半导体 导带底和价带顶处在k空间不同点的半导体称为简接带隙半导体 间接带隙 3、电子－空穴对复合发光 导带中的电子跃迁到价带空能级而发射光子的过程，称为电