Cypress_Flash_Memory_Roadmap(Chinese).pdf

1Flash存储器路线图 002-02523 负责人：WIOB（ANSI、ANST、TRAZ、HIIN、RHOE、DCN、GHR、DSG） 版本** 商务经理：RHOE 2015年第三季度 赛普拉斯路线图： Flash存储器 2002-02523 负责人：WIOB 版本** 商务经理：RHOE Flash存储器路线图 NOR Flash存储器系列的解码器 产品选型指南 S 29 G L 128 S 工艺技术： J = 110 nm浮栅 N = 110 nm MirrorBit 1 = 63 nm DRAM K = 90 nm浮栅 P = 90 nm MirrorBit L = 65 nm浮栅 R、S = 65 nm MirrorBit M = 45 nm浮栅 T = 45 nm MirrorBit 容量： 001 = 1 Mb 016 = 16 Mb 256 = 256 Mb 04G = 4 Gb 0CG = 64 Gb 002 = 2 Mb 032 = 32 Mb 512 = 512 Mb 08G = 8 Gb 004 = 4 Mb 064 = 64 Mb 01G = 1 Gb 0AG = 16 Gb 008 = 8 Mb 128 = 128 Mb 02G = 2 Gb 0BG = 32 Gb 电压： D = 2.5 V，L = 3.0 V，S = 1.8 V 产品系列： A = 标准ADP（地址-数据并行） C = 突发模式ADP（地址-数据并行） F = Quad SPI G = 页模式 J = 同时读取/写入ADP（地址数据并行） K = HyperBus N = 在突发模式下同时读取/写入ADM（地址-数据复用） P = 在页模式下同时读取/写入ADP（地址-数据并行） V = 在突发模式下同时读取/写入ADM（地址-数据复用） W = 在突发模式下同时读取/写入ADP（地址-数据并行） X = 在突发模式下同时读取/写入AADM（地址-地址-数据复用） 系列： 25 = SPI，26 = HyperFlash，27 = HyperRAM 29 = NOR，70 = 堆栈芯片，79 = 双路Quad SPI 前缀： S 3002-02523 负责人：WIOB 版本** 商务经理：RHOE Flash存储器路线图 并行NOR Flash存储器产品系列 S29AS-J 110 nm，1.8 V S29AL-J 110 nm，3.0 V S29JL-J1 110 nm，3.0 V S29PL-J1, 2 110 nm，3.0 V S29GL-N2 110 nm，3.0 V S29GL-P2 90 nm, 3.0 V S29GL-S2 65 nm，3.0 V S29GL-T2 45 nm，3.0 V 32 Mb 90 ns / 25 ns * I、A 64 Mb 90 ns / 25 ns * I、A64 - 12 8 M b ≥ 25 6 M b 256 Mb 90 ns / 25 ns * I 512 Mb 100 ns / 25 ns * I 1 Gb 110 ns / 25 ns * I 128 Mb 90 ns / 25 ns * I 256 Mb 90 ns / 15 ns * I、A、V、B 512 Mb 100 ns / 15 ns * I、A、V、B 1 Gb 100 ns / 15 ns * I、A、V、B 128 Mb 90 ns / 15 ns * I、A、V、B ≤ 32 M b 2 Gb3 110 ns / 20 ns * I、A、V、B 64 Mb 70 ns / 15 ns * I、A、V、B、N、M 2 Gb3 110 ns / 25 ns * I 128 Mb 60 ns / 20 ns * I、A 32 Mb 55 ns / 20 ns * I、A 64 Mb 55 ns / 20 ns * I、A 16 Mb 55 ns / -- * I、A、N、M 8 Mb 55 ns / -- * I、A、N、M 16 Mb 70 ns / -- * I、A 8 Mb 70 ns / -- * I、A 32 Mb 60 ns / -- * I、A 64 Mb 55 ns / -- * I、A 512 Mb 100 ns / 15 ns * I、A、V、B、N、M 1 Gb 100 ns / 15 ns * I、A、V、B、N、M 2 Gb1 110 ns / 20 ns * I、A、V、B、N、M Q315 Q116 容量 初始/页面访问 *温度范围 * I = 工业级：-40oC至+85oC A = 工业级，符合AEC-Q100：-40oC至+85oC V = 扩展的工业级：