第4章激光器及光发射机综述.ppt

激光器及光发射机;光源;第四章 激光器及光发射机;4.1 半导体激光器LD;发光二极管LED;LED的主要工作原理对应光的自发发射过程，因而是一种非相干光源。 LED发射光的谱线较宽、方向性较差，本身的响应速度又较慢，所以只适用于速率较低的通信系统。 在高速、大容量的光纤通信系统中主要采用半导体激光器作光源。;半导体激光器LD;4.1.1 法布里-珀罗型激光器F-P LD;F-P LD基本工作原理;1. 光的自发发射、受激吸收和受激发射;双能级原子系统的三种跃迁;自发发射和受激发射的特点;2. F-P谐振腔;3. 振荡条件;Modes produced in a Typical Fabry-Perot Laser;Output spectrum changes as power is applied;F－P LD的结构;4.1.2 分布反馈激光器DFB LD;DFB LD基本工作原理;4.1.3 分布Bragg反射型激光器DBR LD;4.1.4 量子阱激光器QW LD;4.1.5 垂直腔面发射激光器VCSEL;可任意配置高密度二维激光阵列。;第四章 激光器及光发射机;4.2 半???体激光器的工作特性;一、半导体激光器的P－I特性; 表示激光器件把注入的电子－空穴对（注入电荷）转换成从器件发射的光子（输出光）的效率。是一个以百分数（％）度量的性能系数。 一个把100％注入电流转换成输出光的理想假设器件(即器件没有以热形式消耗)，在理论上应具有100％的?e。 ?e可从P-I特性的斜率（阈值以上）dP/dI求得：; 内量子效率?i是衡量激光二极管把电子－空穴对（注入电流）转换成光子能力的一个参数。 与?e不同的的是， ?i与激光二极管的几何尺寸无关，是评价激光二极管半导体晶片质量的主要参数。 ?i和?e既又关系又有差别。 ?i是激光二极管把电子－空穴对（注入电流）转换成光子（光）效率的直接表示，但要注意，并非所有光子都出射成为输出光，有些光子由于各种内部损耗而被重新吸收。 ?e是激光二极管把电子－空穴对（注入电流）转换成输出光的效率象征。 ?e总是比?i小。;T0--LD的特征温度，与器件的材料、结构等有关。T0代表Ith对温度的灵敏度，也可解释为激光二极管的热稳定性。较高的T0意味着当温度快速增加时，激光二极管Ith增加不大。; ;1、激光器纵模的概念：;I=67mA P=1.2mW; 在众多的纵模中，只有那些频率落在增益介质的增益曲线范围内，且增益大于损耗的那些腔模才能在LD的输出中存在。;在纵向，光波以驻波形式振荡。;4、峰值波长随温度变化：;5、动态谱线展宽：;6、动态单模半导体激光器：;7. 影响发射波长的因素：;线宽是LD输出光谱的另一个重要参量。窄的线宽有利于减小光纤的色散。LD输出的有限线宽源于两个因素： 一是激光腔内自发辐射引起的光场相位脉动 二是载流子浓度脉动引起的折射率变化，使光腔谐振频率发生变化。 简化理论推导的光源线宽为：;三、半导体激光器的瞬态性质;张弛振荡：当电流脉冲注入激光器以后，输出光脉冲表现出衰减式振荡。是激光器内部光电相互作用所表现出来的固有特性。;1. 电光延迟;当注入电流从零快速增大到阈值以上时，经电光延迟后产生激光输出，并在脉冲顶部出现阻尼振荡，经过几个周期后达到平衡值。 采用预偏置在Ith附近的方法，可减小张弛振荡;不同于张弛振荡，没有阻尼，脉动频率范围为0.2~4GHz,容易发生在阈值附近和P-I特性的扭曲区。 造成自脉动的机理涉及量子噪声效应、有源区的缺陷及温度感应的变化等因素。 抑制这种现象主要靠控制材料的质量，尽量减少有源区的缺陷。;4、码型效应： 由于瞬态性质，输出光脉冲会出现码型效应。;起因：注入电流导致温升，进而引起阈值电流的变化，从而输出光功率也发生变化。在电流脉冲持续阶段，输出光功率随时间而减小；而当电流脉冲过后，输出光功率随时间而增加。 消除方法：适当增加偏置电流;激光二极管的啁啾(Chirp)特性：在直接调制激光二极管时，不仅输出光功率随调制电流发生变化，而且光的频率也会发生波动，即在幅度调制的同时还受到频率调制。 带有频率啁啾的信号在单模光纤中传播时，在色散作用下，将增大非线性失真。 随着调制速率增加，啁啾现象愈加严重。 解决办法：采用外部调制器。;LD的噪声源主要有： （1）相位噪声 （2）工作不稳定引起的噪声（如自脉动） （3）光纤端面与LD之间互作用引起的噪声 （4）模噪声（单模LD+多模光纤系统）与模分配噪声（多模LD+单模光纤系统） （2）~（4）可通过模式稳定及光隔离器来减低或消除;第四章 激光器及光发射机;4.3.1 发射机的结构;4.3.2 光源的调制方式;加大偏置