吕书林-材料成型理论基础 成形原理3.pptVIP

Chapter 3 Nucleation and Growth during Solidification?of Metals? 第三章 液态金属的凝固形核及生长方式 教师：吕书林 * §3-1 凝固的热力学条件 1、热力学条件： L?S, ?G0, 过程自发进行 T=Tm时， ?T——过冷度，凝固的驱动力 图3-1 * 2、阻力：与界面有关 热力学能障 动力学能障 新界面产生，导致界面自由能增加 由金属原子穿越界面过程引起—与驱动力大小无关，而仅取决于界面结构与性质。 在相变驱动力的驱使下，借助于起伏作用来克服能量障碍。 液态金属结晶的动力由过冷提供，无过冷度，无结晶。 图3-1 * 液相与固相体积自由能之差--相变的驱动力 由于出现了固/液界面而使系统增加了界面能--相变的阻力 §3-2 均质形核与异质形核 1、均质形核——定义？ 3-3 * 临界形核半径 r* 临界形核功等于界面能的1/3，由液态金属中的能量起伏提供； 临界晶核半径由结构起伏提供。 3-3 临界形核功 ?G* * 2、形核速率 N—单位体积液相中临界晶核数目； f0—单位时间转移到一个晶核上的原子数。 形核速率：单位时间、单位体积生成固相核心的数目。 ΔGA—液体原子扩散激活能； kB—玻尔兹曼常数。 * 均质生核（自发生核）的局限性：需要的ΔT=0.2Tm,实际结晶时ΔT=10-1~10K。 → 非均质形核 事物的两面性：过冷度极大时，抑制形核 → 非晶 指数由两项构成： ：反比于ΔT2，过冷度增大，形核速率迅 速增大； ：过冷度增大，原子热运动减弱，形核速 率减小。 * 在不均匀的熔体中依靠外来杂质或型壁界面提供的衬底进行形核的过程。 液相中的原子集团依赖于已有的异质固相表面并在界面能的作用下，形成球冠。 3、异质形核 * * 两者的r*相同，但异质核心只是球体的一部分，所含原子数较均质球体核心少的多，形核阻力小。 * θ=180o，f(θ)=1， 基底不润湿，无形核作用。 θ=0o，f(θ)=0， 基底完全润湿，促进形核能力最强 * 4. 异质形核速率 （式3-21） 特点： 过冷度＜临界ΔT*，无形核； θ越小，需要的ΔT*越小； I异曲线居于I均左侧。 θ θ 图3-7 θθ * 5、异质形核影响因素 （2）形核基底的性质——影响润湿角大小（但难测定） 界面共格：可用点阵错配度δ来衡量 当δ≤0.05时，称完全共格界面，其界面能σCS较低，衬底促进非均匀形核的能力很强。 当 0.05δ0.25时，通过点阵畸变过渡和位错网络调节，可以实现部分共格界面。 当δ0.25时，为不共格，难以成为异质基底。 （1）过冷度 * （3）形核基底的形状 （4）液态金属的过热度及持续时间——影响异质核心数量 形核能力： 凹界面平界面凸界面， 晶核所需原子数量（体积）决定。 金属液温度超过（接近）异质核心熔点，异质核心熔化（表面失去活性）。形核速率降低。 * 4. 形核控制 （1）促进形核 （2）抑制形核 （3）选择形核 讨论内容： 原理、工艺方法及措施 * §3-3 纯金属晶体的长大方式 一、晶体宏观长大方式 S/L前沿为正的温度梯度：GL=dT/dx0 ; 1、平面方式生长 图3－8 正温度梯度分布 x （ΔTK—界面处过冷度， ΔTK =Tm-Ti） 改错！ 图3-9平面生长方式模型 * 2、树枝晶方式生长 S/L前沿为负的温度梯度：GL=dT/dx0 图3－10 负温度梯度分布 图3-11 枝晶生长方式模型 * 平面生长 树枝晶 * 1、界面微观结构分类 粗糙界面 界面固相侧的点阵一半被随机分布的固相原子占据，形成粗糙的界面层。 二、固/液界面的微观结构 平整界面 界面固相一侧的点阵几乎全部被固相原子占据，形成平整 的界面层。 平整界面又称小平面界面，其生长方式也叫小平面生长； 粗糙界面又称非小平面界面，其生长方式也叫非小平面生长。 * x=NA/N界面原子的占据率；L潜热 kB波耳兹曼常数；n/v：界面配位数/内部配位数。 ? ? 2的金属： x=0.5时界面最稳定。 ? 2的金属：x=0,或x=1附近,界面 最稳定。 2、Jackson 因子 平面上无规律地堆砌一些原子后，引起界面自由能相对变化量为： * 粗糙界面 ??2, x=0.5时界面最稳定， —非（小）平面生长方式 （Non-faceted growth)。