第4章新第2章常用半导体器件原理题材.ppt

4.1　半导体物理基础 ;4.1.1　本征半导体 ;　　每个原子最外层轨道上的四个价电子为相邻原子核所共有，形成共价键。共价键中的价电子是不能导电的束缚电子。 ;价电子的反向递补运动等价为空穴在半导体中自由移动。因此，在本征激发的作用下，本征半导体中出现了带负电的自由电子和带正电的空穴，二者都可以参与导电，统称为载流子。 ;　　平衡状态时，载流子的浓度不再变化。分别用ni和pi表示自由电子和空穴的浓度 (cm-3) ，理论上 ;一、N 型半导体（掺磷） 　　在本征半导体中掺入五价原子，即构成 N 型半导体。N 型半导体中每掺杂一个杂质元素的原子，就提供一个自由电子，从而大量增加了自由电子的浓度——施主电离 多数载流子一一自由电子 少数载流子一一空穴 但半导体仍保持电中性　　 ;二、P 型半导体（掺硼） 　　在本征半导体中掺入三价原子，即构成 P 型半导体。P 型半导体中每掺杂一个杂质元素的原子，就提供一个空穴，从而大量增加了空穴的浓度——受主电离 多数载流子一一空穴 少数载流子一一自由电子 但半导体仍保持电中性;4.1.3　漂移电流和扩散电流 ;4.2　PN 结 ;空间电荷区又称耗尽区或势垒区。在掺杂浓度不对称的 PN 结中，耗尽区在重掺杂一侧延伸较小，在轻掺杂一侧延伸较大。;4.2.2　PN 结的单向导电特性 ;PN 结的单向导电特性：PN 结只需较小的正向电压，就可使耗尽区变得很薄，从而产生较大的正向电流，且该电流随电压的微小变化会发生明显改变。在反偏时，少子只能提供很小的漂移电流，且基本上不随反向电压变化。;4.2.4　PN 结的电容特性 ;PN 结的结电容为势垒电容和扩散电容之和，即 Cj = CT + CD。CT 和 CD 都随外加电压的变化而改变，所以都是非线性电容。 当PN 结正偏时，CD 远大于 CT ，即 Cj ? CD ； 当PN 结反偏时，CT 远大于 CD，则 Cj ? CT 。;4.3　晶体二极管 ;E变化时，负载线平移到新位置，虽然 IDQ变化较大，但UDQ变化不大，仍近似等于 UD(on) ，所以也可认为 UD(on) 是导通的二极管两端固定的管压降。 ;RD和rD均随工作点Q的位置变化而变化； 同一工作点Q处，RD和 rD 也不相同。;4.3.3　二极管的近似伏安特性和简化电路模型 ;[例 4.3.1] 电路如图 (a) 所示，计算二极管中的电流 ID 。 已知二极管的导通电压UD(on) = 0.6 V，交流电阻 rD ≈0。;稳压二极管起稳压作用,工作电流IZ可在IZmin到IZmax的较大范围内调节，两端的反向电压几乎不变,为稳定电压UZ。;典型的稳压二极管电路;［例4.3.2］稳压二极管电路如图所示，稳定电压UZ=6V。当限流电阻R=200? 时，求工作电流IZ和输出电压UO；当R=11k? 时，再求 IZ 和 UO 。 ;4.3.5　二极管应用电路举例 ;解：当ui0.7V时，VD处于导通状态，等效成短路，所以输出电压uo=ui-0.7；;［例4.3.4］分析图 (a) 所示的二极管桥式整流电路的工作原理，其中的二极管VD1 ~ VD4为理想二极管，输入电压ui的波形如图 (b) 所示。试分析输出电压uo的波形。 ;解：当ui0时，D1和D2上加的是正向电压，处于导通状态，而D3和D4上加的是反向电压，处于截止状态。输出电压uo的正极与ui的正极通过D1相连，它们的负极通过D2相连，所以uo=ui；;［例4.3.5］分析图示电路的输出电压uo的波形和传输特性。 ;解：当输入电压ui0时，二极管D1截止，D2导通，电路等效为(b)所示的反相比例放大器，uo=-(R2/R1)ui；当ui0时，D1导通，D2截止，等效电路如(c)所示，此时uo=u-=u+=0。据此可以根据ui的波形画出uo的波形以及传输特性，如图 (d) 所示。 ;[例4.3.5] 给出的是精密半波整流电路。为了实现精密全波整流，可以利用集成运放加法器，将半波整流的输出与原输入电压加权相加。如图所示，uo = - ui - 2uo1。当ui 0时，uo1 = - ui，uo = ui；当ui 0时，uo = - ui。 因此在任意时刻有uo = | ui |，所以该电路也称为绝对值电路。 ;2、限幅电路 ;解：VD处于导通与截止之间的临界状态时，其支路两端电压为 E+UD(on)=2.7V。;［例4.3.7］二极管限幅电路如图 (a) 所示，其中二极管D1和D2的导通电压UD(on) = 0.3 V，交流电阻rD ? 0。输入电压ui的波形在图 (b) 中给出，作出输出电压uo的波形。 ;综合uo的波形如(c)所示，该电路把ui超出?2.3V的部分削去后进行输出，是双向限幅电路。 ;图中,设二极管的交流电阻