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第三章 代表性工艺;3.1 标准双极工艺;制造工序;外延层生长;隔离扩散;深N+扩散;基区注入;发射区扩散;接触、金属化、覆盖保护层;可用器件;衬底PNP晶体管;横向PNP晶体管;基区电阻;发射区电阻;基区埋层电阻;电容;上下隔离;双层金属;高值薄层电阻;3.2 多晶硅CMOS工艺;制造工序;反型槽;沟道终止注入;LOCOS工艺;阈值调整;多晶硅淀积;源漏注入;接触、金属化、覆盖保护层;可用器件;PMOS晶体管;衬底PNP晶体管;多晶硅电阻;NSD和PSD电阻;电容;工艺扩展;扩展漏区高压晶体管;3.3 模拟BiCMOS工艺;制造工序;N阱扩散和深N＋区;基区注入;反型槽;沟道终止注入;LOCOS;阈值调整;多晶硅淀积及光刻;源/漏注入;金属化及保护层;可用器件;衬底PNP晶体管;横向PNP晶体管;基区电阻;工艺扩展;DI BiCMOS纵向NPN晶体管;DI BiCMOS纵向PNP晶体管;3.4 其它工艺;低压部分;隔离部分的实物照片;3.5 一个集成电路的例子;功率集成电路的高压部分的版图照片;器件的照片1;器件的照片2;器件的照片3;器件的照片4;器件的照片5;器件的照片6
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