犣状犗薄膜离子注入改性的研究进展.PDFVIP

第２４卷　第３期 液　晶　与　显　示 Ｖｏｌ．２４，Ｎｏ．３ ２００９年６月 ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｐｌａｙｓ Ｊｕｎ．，２００９ 文章编号：１００７２７８０（２００９）０３０３６７０５ 犣狀犗 薄膜离子注入改性的研究进展 薛书文，梅　芳，肖世发，黄子康，莫　东 （湛江师范学院 物理系，广东 湛江　５２４０４８，Ｅｍａｉｌ：ｘｕｅｓｈｕｗｅｎ＠２６３．ｎｅｔ） 摘　要：ＺｎＯ 是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的ⅡⅥ族化合物半 导 体 材 料， 离子注入是常用的半导体掺杂技术，文章综述了国内外近 年 来 离 子 注 入 技 术 在 ＺｎＯ 的 ｎ、ｐ 型掺杂等方面的研究进展。 关　键　词：氧化锌；离子注入；掺杂 中图分类号：ＴＮ３０５．３　　　文献标识码：Ａ 一般不是很高。根据不同的应用目的，人们可以 １　引　　言 通过 掺 杂 改 变 ＺｎＯ 中 的 载 流 子 的 浓 度 和 类 型。 ＺｎＯ 是一种透明的ⅡⅥ族化合物半导体，室 离子注入技 术 就 是 其 中 一 种 颇 为 有 效 的 掺 杂 手 温下的禁带宽度为３．３７ｅＶ。ＺｎＯ 的激子束缚能 段。目前，对 ＺｎＯ 的离子注入改性研究主要集中 （６０ｍｅＶ）比 ＧａＮ（２５ ｍｅＶ）和 ＺｎＳｅ（２２ ｍｅＶ）等 在如下几个方面：（１）通过注入 Ａｌ等提高 ＺｎＯ 的 高出很多，同时比室温热离化能（２６ｍｅＶ）也高许 导电性能，制备高电导率的透明薄膜；（２）通过注 多，具有纤锌矿结构。早期 ＺｎＯ 的紫外发射随温 入 Ｏ 等提高ＺｎＯ 电阻率，制备绝缘材料；（３）通过 度的升高而快速湮灭，导致 ＺｎＯ 的研究一度被人 注入 Ｎ 等制备 ｐ型 ＺｎＯ 薄 膜。本 文 主要 从 这 ３ 冷落。１９９７ 年 ＺｎＯ 薄 膜 紫 外 受 激 发 射 被 发 现 个方面综述 ＺｎＯ 薄 膜 离 子注 入 改性 的 研 究 进展 后［１，２］，作为宽禁带半导体材料 ＺｎＯ 又重新成为 和发展现状。 研究的热点。随 着 ＺｎＯ 薄膜制 备技术 的 不断 完 ２　ＺｎＯ 薄膜的特性 善，利用分子 束 外 延 （ＭＢＥ）、金 属 有 机 气 相 化 学 沉积（ＭＯＣＶＤ）、ＲＦ 磁控 溅 射 等 方 法，人 们 已 可 通过不断的探索，目前已能够利用磁控溅射、 以制备出大面积、均匀度好的高质量 ＺｎＯ 薄 膜。 金属有机物化学汽相沉积、激光分子束外延（Ｌａ 室温下，ＺｎＯ 具有很高的激 子束 缚 能，以 ＺｎＯ 材 ｓｅｒＭＢＥ）、脉冲激光沉积（ＰＬＤ）和溶胶凝胶（Ｓｏｌ 料为基底的器件室温条件下工作稳定，被广泛认 ｇｅｌ）等方法 并结合 不 同 的 后 处理