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东南大学无锡分校 东南大学无锡分校 第三章 硅和硅片制备 东南大学无锡分校 晶体生长 东南大学无锡分校 §3.1半导体级硅 semiconductor-grade silicon，SGS 高纯度硅，纯度99.9999999% 一、半导体级硅 矿石→SGS ↑ 沙子、石英 东南大学无锡分校 二、半导体级硅的制备 制备半导体级硅 (SGS)的过程 步骤 过程描述 反应方程式 1 用碳加热硅石至 2100℃左 右来制备冶金级硅(MGS) （杂质大约 2%） SiC (s) + SiO2 (s) ? Si (l) + SiO(g) + CO (g) 2 通过化学反应将冶金级硅进 一步提纯为三氯硅烷 (SiHCl3) Si (s) + 3HCl (g) ? SiHCl3 (g) + H2 (g) + heat 3 利用西门子方法，通过三氯 硅烷和氢气反应来生产半导 体级硅 (SGS) 2SiHCl3 (g) + 2H2 (g) ? 2Si (s) + 6HCl (g) 东南大学无锡分校 三、硅的晶体结构 东南大学无锡分校 1. 晶向 ? 晶列：晶格中的原子处在的一系列方向相同的平行直线 系上 ? 晶向：空间点阵中各阵点列的方向（连接点阵中任意结 点列的直线方向） （一族晶列所指的方向，可由连接 晶列中相邻格点的矢量的方向来标记） ? 晶向指数： u v w 东南大学无锡分校 2. 晶向族---等效晶向 晶向族：晶体中原子排列情况相同但空间位向不同的 一组晶向。用uvw表示 100 110 111 东南大学无锡分校 3. 晶面 ? 晶面： 通过空间点阵中任意一组阵点的平面（在点阵中由 结点构成的平面） ? 晶面指数： （h l k） 硅晶圆中最常使用的晶面是(100)和(111) （100）晶面的晶圆用来制造MOS器件和电路 （111）晶面的晶圆用来制造双极性器件和电路 Z X Y (100) Z X Y (110) Z X Y (111) 砷化镓技术使用 （100）晶面的硅片 东南大学无锡分校 4. 晶体缺陷 (1) 定义 在重复排列的晶胞结构中出现的任何中断，实际晶体中原子 排列与理想晶体的差别。 (2) 晶体缺陷的影响 A：生长出不均匀的二氧化硅膜 B：淀积的外延膜质量差 C：掺杂层不均匀 D：在完成的器件中引起有害的漏电流，导致器件不能正常 工作。 东南大学无锡分校 (3) 硅中三种普遍的缺陷形式 ?点缺陷：原子层面的局部缺陷 ?位错：错位的晶胞 ?层错：晶体结构的缺陷 %100?? 每个圆片的芯片数 每个圆片的完好芯片数 成品率 芯片成品率每个圆片芯片数 圆片成本 芯片成本 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?? 芯片面积单位面积缺陷数 芯片成品率 1 4)( 芯片面积芯片成本 f? ? ? 芯片面积 圆片直径 芯片面积 圆片直径 每个圆片的芯片数 ? ? ? ? ? 2 /2 2 ?? （工艺参数α 约为3） 东南大学无锡分校 11 A：点缺陷 形成原因—晶体里杂质原子挤压晶体结构引起的应力所致 替位杂质 空位 Frenkel缺陷 填隙杂质 东南大学无锡分校 B：位错（单晶里一组晶胞排错位置） 形成原因：晶体生长条件、晶体内的晶格应力、制造过 程中的物理损坏 东南大学无锡分校 C：层错 常见有滑移（晶体平面产生的晶体滑移）和孪晶（同一界 面生长出两种不同方向的晶体），二者是晶体报废的主要 原因。 东南大学无锡分校 四、硅晶圆制备的四个阶段 A：矿石到高纯气体的转变（石英砂冶炼制粗硅） B：气体到多晶的转变 C：多晶到单晶，掺杂晶棒的转变（拉单晶、晶体生长） D：晶棒到晶圆的制备 ?芯片制造的第一部分：材料准备 ?芯片制造的第二部分：晶体生长和晶圆制备 东南大学无锡分校 15 ①冶炼 SiO2 + C → Si + CO↑或者 得到的是冶金级硅，主要杂质：Fe、Al、C、B、P、Cu 要进一步提纯。 ②酸洗 硅不溶于酸，所以粗硅的初步提纯是用HCl、H2SO4、王水， HF等混酸泡洗至Si含量99.7%以上。 )()()()()( 2 gCOgSiOfSisSiOsSiC ???? 东南大学无锡分校 ③精馏提纯 ?将酸洗过的硅转化为SiHCl3或 SiCl4， Si + 3HCl（g） → SiHCl3 ↑ + H2 ↑ Si + 2Cl2 → SiCl4 ↑ 好处： 常温下SiHCl3 与SiCl4都是气态， SiHCl3的沸点仅为31℃ ④还