11 太阳电池及材料.ppt

太阳电池及材料;解决人类社会发展在能源需求方面的问题;利用太阳光与材料相互作用直接产生电能 是对环境无污染的可再生能源 是21世纪的重要新能源，一些发达国家目前已出巨资并增加技术投入以占领日益扩大的太阳电池市场;科学家们公认，太阳能是未来人类最合适、最安全、最绿色、最理想的替代能源。 资料显示： 太阳每分钟射向地球的能量相当于人类一年所耗用的能量。目前太阳能利用转化率约为１０％～１２％。据此推算，到２０２０年全世界能源消费总量大约需要２５万亿立升原油，如果用太阳能替代，只需要约９７万公里的一块吸太阳能的“光板”就可实现。 “宇宙发电计划”在理论上是完全可行的。 ;原　理;地面用太阳电池要形成组件，需将多片太阳电池连接在一起并起支撑与保护作用。 太阳电池组件通常称为光伏组件。;地面用太阳电池的制约因素－成本;太阳能;地表与接受太阳辐照的关系;1、地球相对太阳的运动的影响;2、大气层对太阳辐射的影响;3、大气质量数;4、日照的地理分布;太阳电池分类;按化学组成及产生电力方式分类;无机半导体太阳电池;制作太阳电池所用的半导体材料;;半导体材料的主要性质;1、固体的能带结构;价带(满带);;能带结构是由物质组成决定的，和材料本性具有直接关系 金属的能带结构和其它两类不同 绝缘体在能带结构方面与半导体相似，只是禁带宽度不同;禁带分为直接禁带和间接禁带;半导体中的载流子有两种： 带负电荷的电子和带正电荷的空穴。 根据对载流子贡献的机理， 半导体可分为本征半导体和非本征半导体。 ;本征半导体是指在材料纯度较高的条件下，在一定温度范围内，材料中的载流子主要来自热激发，到达导带的是电子，这时价带中就少了一个电子，于是形成了空穴。 这样，电子的浓度与空穴浓度相等，即 n＝p＝ni 式中：n为电子浓度；p为空穴浓度；ni为本征激发的电子浓度。 ? 式中：k是波尔兹曼常数；T为绝对温度；B为常数。;非本征半导体是指载流子一般靠杂质提供。 如果杂质提供的载流子浓度明显高于本征载流子浓度，那么半导体的导电行为就被杂质载流子控制，称为杂质半导体。在浓度不甚高而掺人的杂质又为浅能级杂质时，杂质全部电离。假设掺人的是施主杂质，则认为 n＝ND 式中：ND为施主杂质的原子浓度。 NDP＝n2i 式中p的值为 p=n2i/ND ;由本征激发或由杂质电离所形成的载流子浓度在既定温度下处于平衡状态，称为平衡载流子。 由辐照、电注入等形成的载流子称为非平衡载流子。 在这些激发形式下，载流子不断产生与复合。一旦去掉这些激发形式，由它们所产生的载流子就很快被复合掉，只剩下平衡载流子。 ;为表征非平衡载流子的复合过程，提出了非平衡载流子寿命的概念。 载流子寿命即载流子从产生到复合的统计平均生存时间。 在小注入的情况下，一般只考虑少数载流子寿命，即在n型半导体中的空穴寿命（TP）或在P型半导体中的电子寿命（tn）。 寿命就取决于复合的机理。 现在认为共有四种复合机理，即 直接复合、通过复合中心复合、俄歇复合、表面复合。 ;1、直接复合;一些杂质和缺陷能在禁带内离开导带或价带一定距离的地方形成能级。 这些能级起到载流子产生或复合的台阶作用，故把这种杂质或缺陷称为载流子的复合—产生中心。影响间接禁带材料少子寿命的主要是这种机制。其寿命值为 tp＝（1/s）VtNttn＝（1/s）VtNt 式中：s为复合中心的俘获载面；V1为载流子热运动平均速度；Nt为复合中心浓度。 已发现在硅中能形成复合中心的杂质有Ta、Mo、W、Nb、Zr、Ti、V、Cr、Co、Mn、Fe等。 ;3、俄歇复合;4、表面复合;pn结;因为禁宽度愈大，ni愈小，VD愈大。 扩散形成的电场区内的载流子几乎被扩散进来的载流子全部复合掉，故称耗尽区，其厚度 式中：er、e0分别为材料的相对介电常数和真空介电常数。 根据静电作用的原理，如在P型区产生了电子—空穴对，那么电子很容易通过n区的正电场进入n区，而空穴则被正电场挡在p型区；同理，n型区的空穴进入P区，而电子留在n区。 ;半导体与光伏效应;当光射到半导体时，一部分被反射，一部分被吸收，其余部分则透过，即 A+R+T=1 式中：A为吸收率；R为反射率；T为透过率。 在制作太阳电池时希望反射率愈小愈好，但反射率是材料折射率的函数。 对硅而言，在感兴趣的范围内，反射率均在0.30左右，因此需要采取镀减反射膜或做绒面等措施。? ;当一束光强为I0的光垂直人射到半导体表面时，半导体内离入射表面x处的光强Ix按吸收定律就应为 Ix＝I0（1-R）eax 式中：a为与波长有关的吸收系数;半导体对光的吸收取决于半导