第四章主存储器系统.ppt

第四章 主存储器;4.1 存储器和存储系统; 存储系统的层次结构;高;1、主存和高速缓存之间的关系;2、主存与辅存之间的关系;缓存;4.2 存储器的类型和特点;4.3 存储器的主要技术指标;4.4 主存储器的基本操作; CPU AR DR ;4.5 半导体存储器;4.5.2 存储器的基本结构及各部分的  功能;2、存储矩阵;3、地址译码器;单译码存储结构 （64*8位） ;2位地址单译码示例： 2位地址码产生4条译码线（“0”有效）;0，0 8位;4、存储器控制电路;4.5.3 半导体随机存储器;1、静态RAM的工作原理; (1) 静态 RAM 基本电路;A′;T1 ~ T4;2、单管动态RAM工作原理; ;DD;单元;A9;③ 单管动态 RAM 4116 (16K × 1位) 外特性;读取时间：是指从地址有效到数据稳定到外部数据总线上的时间。 读取周期tRC =读取时间tA +恢复时间。 tco片选稳定时间； tcx输出延迟时间。;A;twc写周期=地址建立taw+写脉冲宽度tw+写操作恢复。 tDw数据有效时间。DRAM的写周期是先送行数据信号再送地址型号和行选通信号，后送列选通信号。;A;4.6 半导体只读存储器（非易失性）;2、一次性可编程存储器PROM; ; ; ;4