al掺杂量对cu(in1-xalx)s2薄膜性能的影响.doc

 PAGE 4 电 子 元 件 与 材 料 2003年 收稿日期： 基金项目：上海工程技术大学研究生创新课题（13KY0505） 通讯作者：言智（1977－），男，博士，副教授，主要从事太阳能吸收层材料的理论和工艺研究 E-mail: yanzhik@126.com。 Al掺杂量对Cu(In1-xAlx)S2薄膜性能的影响 邓卫之，言 智*，邓沛然，王 莹，方亚林 （上海工程技术大学材料工程学院，上海 201620） 摘要: 使用廉价的溶剂热法制备了黄铜矿结构的Cu(In1-xAlx)S2薄膜，研究了Al掺杂量对Cu(In1-xAlx)S2薄膜的晶体结构、形貌、粗糙度和光学性能的影响。结果表明：随着Al掺杂量的增加，Cu(In1-xAlx)S2薄膜的X射线衍射峰向高角度偏移，同时晶粒尺寸变小。CuInS2的原位变温XRD结果表明CuInS2在低于873K时可以稳定存在，当温度达到873K时CuInS2则开始分解为In2S3和Cu2S。AFM的测试结果表明薄膜表面的粗糙度随着Al掺杂量的增加而逐步降低。紫外分光光度计的测试结果表明Cu(In1-xAlx)S2薄膜透过率随着Al含量的增加而逐步增加。Al/(Al+In)的范围在0—0.5变化时，Cu(In1-xAlx)S2薄膜的禁带宽度变化范围为1.56—2.24 eV. 关键词: Cu(In1-xAlx)S2薄膜；黄铜矿结构；Al掺杂量；原位变温XRD 中图分类号: TM615 文献标识码:A  0 引言  铜铟硫(CIS)太阳能电池具有稳定性好、吸收系数高(~105cm-1)、可调节的禁带宽度、转换效率高以及抗辐射能力强等优点[1-3]，成为了国际上最具希望大规模应用的太阳能电池吸收层，因此受到了广泛的关注。CuInS2 可以由真空蒸镀法，磁控溅射法，涂覆法和溶剂热法等方法制备。由于真空蒸镀法和磁控溅射法均需要较高的成本和较长的时间[4,5]，对大规模的工业化生产带来了不利，因此简单廉价的溶剂热法制备CuInS2 成为了研究的热点。 由于溅射后硒化法制备CuInS2需要在较高的硒化温度下进行，因此得到CuInS2在不同温度下的热稳定性将对其制备工艺的改进提供较大的参考意义。本文采用原位变温XRD的方法测试了CuInS2在不同温度下的热???定性，得出了CuInS2物相随温度变化的实时结果。这在其他期刊与书籍上仍未见报道。这给CuInS2的制备工艺提供了一定的参考。 由于制备CuInS2需要使用昂贵的稀有金属In，因此使用廉价的Al替代昂贵稀有的In，可以大规模的节约成本，为实际的生产和应用创造了条件[3,4-6]。同时，掺杂Al也可以调节铜铟硫的禁带宽度，使其位于吸收可见光的最佳能隙。由于In会造成重金属污染，因此使用Al替代In对环境更加友好。本文采用溶剂热法制备了Cu(In1-xAlx)S2薄膜，研究了掺杂Al含量对薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性能的影响。 1 实验 本文采用溶剂热法制备Cu(In1-xAlx)S2粉体，再将粉体制成浆料旋涂成膜。以CuCl2 (AR), InCl3 (AR), AlCl3 (AR), S (AR)和乙二胺作为原材料。CuCl2, InCl3, AlCl3和S粉按照所需比例配制而成，将所得的混合物倒入50mL的高压反应釜中，随后加入30mL的乙二胺。将高压反应釜放入干燥箱，在180℃的温度下加热20h。待高压反应釜冷却之后将产物取出，使用去离子水和乙醇反复冲洗过滤之后得到黑色Cu(In1-xAlx)S2粉末样品，将Cu(In1-xAlx)S2粉末放入在干燥箱中，在80℃的温度下加热4h。随后将得到的干燥粉体放入研钵中研磨10min，加入浆料分散剂，分散剂的量以完全溶解Cu(In1-xAlx)S2粉末为准，不可以有沉淀析出，要形成具有良好粘度和一定流动性的浆料，混合好后，研磨2h以保证浆料的均匀性。浆料在匀胶机上1000r/min的转速旋转9s，然后以2500r/min的转速旋转51s。将所得薄膜样品在200℃的真空环境下干燥4h，得到所需的Cu(In1-xAlx)S2薄膜。样品编号为a，b，