硅压力传感器基座受力变形时的输出性能.pdfVIP

华 南 理 工 大 学 学 报 （自然科 学版 ） 第４３卷 第３期 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＳｏｕｔｈ Ｃｈｉｎａ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ．４３　Ｎｏ．３ ２０１５ 年３月 （Ｎａｔｕｒａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｅｄｉｔｉｏｎ） Ｍａｒｃｈ　２０１５ 文章编号：１０００-５６５Ｘ（２０１５）０３-０００１-０８ 　 硅压力传感器基座受力变形时的输出性能* 胡国清　龚小山　周永宏　邹崇　ＪａｈａｎｇｉｒＡｌａｍ１ １ ２ ２ １ （１．华南理工大学 机械与汽车工程学院，广东 广州５１０６４０； ２．福建上润精密仪器有限公司，福建 福州３５００１５） 摘　要：为分析硅压力传感器基座受力变形对传感器输出性能的影响，首先利用弹性力 学理论和板壳理论分析推导了压力传感器方形膜片应力分布，为力敏电阻在应变膜上的 布置提供依据；再利用ＡＮＳＹＳ进行分析模拟，探究了传感器基座结构变形对应变膜应力 差的影响；然后针对减小基座受力变形对芯片受力的影响，对基座结构进行适当优化，并 对比仿真分析的结果；最后通过实验测得优化前后的传感器输出数据．结果表明，传感器 基座结构优化后，传感器硅芯片中心最大变形量从２．１７２ ｍ 降低到１．８１９ ｍ，输出误差 μ μ 从０．９５％下降到０．６０％． 关键词：压力传感器；硅传感器；输出性能；有限元分析；结构优化 中图分类号：ＴＨ８６ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１０００-５６５Ｘ．２０１５．０３．００１ ［７］ 　　目前硅压阻式压力传感器技术是传感器行业一 响．沈艳婷等 研究了静压对金属电容式差压变送 项逐渐成熟的技术，硅压力传感器是微机电系统 器测量精度的影响，针对１００、２００、３００、４００ｋＰａ差压 ［１-２］ （ＭＥＭＳ）设备中主要的应用之一 ；但其对精度和 做了静压值为１、２、３、４ＭＰａ 的静压测试，并用数学 稳定性的要求比以往更加严格． 方法对输出结果进行修正． 　 近年来，国内外广泛开展了关于硅压阻式压力传 硅压力传感器是一种发展很快的压阻式压力传 感器的研究以及针对热应力、封装应力、静压力等对 感器，其采用了硅－硅直接键合和浓硼自终止腐蚀 传感器性能的影响来对压力传感器进行优化设计的 等技术，并将压敏电阻以惠斯通电桥的形式布置于 ［３-４］ ［８］ 研究．Ｂａｋｈｏｕｍ、Ｆｅｒｒｅｉｒａ 等 研究了能承受 １０ＭＰａ 硅应变膜上 ．文中首先利用弹性力学理论和板壳 左右静压、测量范围为０．０１ ～１．００ＭＰａ 的硅压阻式 理论分析推导了方形膜片的应力分布；硅压力差压 压力差压传感器，并从边缘长度与厚度之比方面对 芯片中间较薄部分即硅杯底部可视为方形膜片，是 传感器方膜片进行优化设计；据机械压力的不对称、