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第九章 表面分析技术初步 1 第九章 表面分析技术初步 1 表面分析技术的基本要求 （1）对表面的单（分子、原子、离子）层或邻近表面的若干层非常灵敏。 （2）能分析表面层三维空间中的元素组成分布和鉴定表面的各种化学状态。 （3）能够区分元素的各种同位素，能够进行痕量分析。 （4）对于吸附（或玷污）在表面的极少量的物种具有极高灵敏度。 （5）能够鉴定吸附（或玷污）物种的位置及其定向方式．能够揭示出吸附 （或沾污）物种与固体表面原子键合的电子机理。 （6）能够鉴定表面的微观形貌和结构。 （7）适用于金属、小导体、绝缘体、单晶、多晶粉末、非晶态等各种样品。 （8）在检测过程中不破坏表面原有状态。 显然，现有的某一种表面分析技术不可能同时满足上述要求。但是，每—种 表面分析技术都有它自己的长处和短处，故通常多采用若干种表面分析技术联合 使用。 2 第九章 表面分析技术初步 2. 进行表面分析的三个重要特点 超高真空环境、样品清洁表面制备和高分辨率表面探针 （1） 超高真空环境（UHV） 在大多数表面分析中，要求具有超高真空环境，使残留存容器内的 气体分子降低到最低限度，由此在测量的时间内，同固体表面碰撞的气 体分子数可以忽略不计。 若采用油扩散泵抽真空系统和橡胶圈密封，真空度一般可达到 1.33×10－4Pa左右。在此真空水平下，以氮气气氛为例，在室温下．每 秒大约有3×1014个气体分子与1平方厘米的表面相碰撞：若以一个单原 子层上的原子数计算，则每平方厘米大约有1015个原子（原子间距以 0.3nm计）。如果和表面碰撞的氮气分子全部被吸附于表面，则每隔3秒 就将形成一个单分子层覆盖于表面之上。由于分析观测时间远比3秒钟长， 因此覆盖在表面上的气体分子层对于分析是一个极大的干扰，甚至导致 错误的结果。 所谓超高真空水平是指1.33×10－7Pa以下的真空度。在此真空条件下， 在表面形成一个覆盖气体分子层则需要大约8小时的时间。因此，在测量 的时间范围内，残存的环境气体分子对表面分析干扰极小，可以忽略。 3 第九章 表面分析技术初步 （2）清洁表面的制备方法 目的：为了除去表面的吸附和玷污对表面分析结果的影响， 1）在超高真空条件下获得清洁表面：例如在超高真空环境下，用简单的 晶面劈开法即可得到清洁的云母、碱性岩盐的（100）表面： 2）用简单的加热方法去除表面的玷污。例如氧、碳、硫等物质同表面形 成化学吸附时，可采用加热法使表面的污染物形成易挥发的氧化物、碳化 物、硫化物，自动地跑到真空中或扩散到体内。 3）在化学气氛中加热去除那些通过简单加热不能清除的化学吸附沾污， 因为，玷污物在化学气氛中可以形成可挥发的化合物：例如，表面的氧化 物可以在氢气中加热。 4）利用惰性气体离子（如Ar＋、He＋）轰击表面而有效地清除一些较顽 固的沾污。 5）沿一些晶体的特定晶面自然解理而获得清洁表团。该方法不仅简单直 接，还可保留原来晶体的固有性质。例如，在液氮温度下通过自然解理可 获得硅和铍的清洁表面。氟化钙的（111）晶面也可利用该方法获得。 6）通过真空蒸发法在适当的基片上获得预想的单晶和多晶薄膜，以此作 为研究对象的清洁表面。 4 第九章 表面分析技术初步 （3）高分辨率的表面探针 通常将向固体表面引入微观粒子束（包括光子、电子、离子等）的 方法称为表面探针。这些微观粒子和表面的分子、原子、电子、离子发生 互作用后，将从表面反射或散射出携带有表面信息的光子、电子、离子等。 通过各种能谱仪、质谱仪、分光谱仪等检测手段的分析，可有效地确定表 面的化学组成、表面原子结构及表面电子组态。 图为几种主要的表面探针与表面相互作用的示意图。向表面引入光 子束，例如紫外光和X射线，可激发光子散射，向表面引入电子束可发生 低能电子衍射和俄歇电子散射，向表面引入离子束可发生二次溅射离子。