第三章集成电路设计技术与工具选编.ppt

集成电路设计技术与工具 ;内容提要;3.1 引言;3.2 集成电路基本加工工艺;3.2.1 外延生长;化学汽相沉积生长 化学汽相沉积(CVD)也称汽相外延（VPE：Vapor Phase Epitaxy） 化学汽相沉积生长法是通过汽体化合物之间的化学反应而形成的一种生长外延层的工艺。 通过晶圆表面吸附反应物，在高温下发生反应，生成外延层 吸附沉积的硅原子需要较高的迁移率能够在表面自由移动来形成完整的晶格。因此，CVD需要较高的温度。 ;金属有机物CVD（MOCVD：Metal Organic CVD） 金属有机物化学气相沉淀法也称为金属有机物气相外延（MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy） MOCVD是由CVD技术发展起来的，是属于CVD技术的一种 由于许多III族元素有机化合物和V族元素氢化物在较低温度下即可成为气态，因此在金属有机物化学沉积过程中反应物不需要高温，只需要在衬底附近存在高温区使得几种反应物能够在衬底附近发生化学沉积反应即可。 MOCVD是一种冷壁工艺，只要将衬底加热到一定温度即可，炉体其他部分不需要高温。 ;分子束外延生长（MBE：Molecular Beam Epitaxy） 分子束外延是在超高真空下（~10-8 Pa）加热一种或多种原子或分子，这些原子分子束与衬底晶体表面反应从而形成半导体薄膜的技术 MBE有生长半导体器件级质量膜的能力，生长厚度具有原子级精度;3.2.2 掩膜的制版工艺;掩膜制造 掩膜版可分成：整版及单片版 整版是指晶圆上所有的集成电路芯片的版图都是有该掩膜一次投影制作出来的。各个单元的集成电路可以不同。 单片版 是指版图只对应晶圆上的一个单元。其他单元是该单元的重复投影。晶圆上各个芯片是相同的。 早期掩膜制造是通过画图照相微缩形成的。 光学掩膜版是用石英玻璃做成的均匀平坦的薄片，表面上涂一层60~80nm厚的铬，使其表面光洁度更高，这称之为铬版（Cr mask），通常也称为光学（掩膜）版。 新的光刻技术的掩膜版与光刻技术有关。;图案发生器方法（PG：Pattern Generator） 集成电路上任何一个图形都可以由无数个矩形组成 任何一个矩形都有在空间的坐标和长和宽。 将分割的所有图形的参数记录并制版，得初缩版 初缩版用来重复投影制作掩膜版 ;另外还有 X射线制版法 电子束扫描法（E-Beam Scanning ）;3.2.3 光刻;光刻基本步骤： 涂光刻胶 ?曝光?显影与后烘?刻蚀?去除光刻胶 ;3.2.4 掺杂 摻杂的目的是制作N型或P型半导体区域，以构成各种器件结构。 主要方法有： 热扩散法掺杂 离子注入法掺杂 ;热扩散法掺杂 利用原子在高温下的扩散运动，使杂质原子从浓度很高的杂质源向硅中扩散并形成一定的分布。 热扩散通常分两个步骤进行： 预淀积（predeposition，也称预扩散） 推进（drive in，也称主扩散）。 ;离子注入法掺杂 离子注入掺杂也分为两个步骤：离子注入和退火再分布。 ;离子注入的优点 注入离子纯度高，污染少 注入剂量范围宽 离子注入时，衬底一般是保持在较低温度 杂质深度分布可控 离子注入不受杂质在材料中溶解度限制 容易实现化合物半导体的掺杂 离子注入的缺点 杂质离子对半导体晶格有损伤，并难以消除 难以得到很浅的和很深的注入分布； 对高剂量的注入，离子注入的产率要受到限制； 一般离子注入的设备相当昂贵。;3.2.5 绝缘层形成;氧化隔离示意图;3.2.6 金属层形成;3.3 双极型集成电路的基本工艺流程;一个电阻与一个晶体管组成的双极型集成电路的制作工艺过程。 ;3外延层淀积 并做氧化掩蔽层;5第三次光刻——P型基区扩散孔光刻 ;7第五次光刻——引线接触孔光刻 8第六次光刻——金属化内连线光刻 ;3.4 CMOS集成电路的基本制造工艺;3.4.1 P阱CMOS工艺;3.4.2 N阱CMOS工艺;3.4.3 双阱CMOS工艺;1衬底准备：衬底氧化后，在二氧化硅上生长氮化硅 ;5形成场隔离区（场氧化层）;9P阱中的NMOS管光刻和注入硼并扩散，形成N+版 ;13淀积铝，反刻铝，形成铝连线 ;3.4.4 MOS工艺的自对准结构;3.5 BiCMOS集成电路的基本制造工艺;;BiCMOS工艺技术大致可以分为两类： 以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 以双极工艺为基础的BiCMOS工艺。 一般来说，以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺对保CMOS 器件的性能比较有利，同样以双极工艺为基础的BiCMOS工艺对 提高双极器件的性能有利。影响BiCMOS器件性能的主要部分是 双极部分，因此以双极工艺为基础的BiCMOS工艺用的较多。 ;3.5.1 以P阱CMO