第二章薄膜的物理气相沉积-蒸发法选编.pptVIP

第2章 薄膜物理气相沉积 ---蒸发法;主 要 内 容; 一、定义 物理气相沉积（Physical Vapor Deposition， PVD ） 利用某种物理过程，如物质的热蒸发或受到离子轰击时物质表面原子的溅射现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移的过程。;蒸发法：把装有基片的真空室抽成真空，使气体压强达到10-2Pa以下，然后加热镀料，使其原子或分子从表面逸出，形成蒸汽流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜。 具有较高的沉积速率、相对较高的真空度，以及由此导致的较高的薄膜纯度等优点。 溅射法：具有自己的特点，如在沉积多元合金薄膜时化学成分容易控制、沉积层对沉底的附着力较好。;2.1 物质的热蒸发;蒸发成膜过程是由蒸发、蒸发材料粒子的迁移和沉积三个过程所组成。;真空蒸发的原理; 由于基板温度远低于蒸发源温度，因此，沉积物分子在基板表面将直接发生从气相到固相的相转变。 真空蒸发镀膜时保证真空条件的必要性： 上述过程都必须在空气非常稀薄的真空环境中进行，否则将发生以下情况： 1.蒸发物原子或分子将与大量空气分子碰撞，使膜层 受到严重污染，甚至形成氧化物； 2. 蒸发源被加热氧化烧毁； 3.由于空气分子的碰撞阻挡，难以形成均匀连续的薄 膜。 ;;1.真空蒸发沉积薄膜的优点：简单便利、操作容易、成膜速度快、效率高等，是薄膜制备中最为广泛使用的技术。 2.真空蒸发技术的缺点：不容易获得结晶结构的薄膜，形成的薄膜与基片结合较差，工艺重复性不好。 ;? 蒸发过程 镀膜时，加热蒸镀材料，使材料以分子或原子的状态进入气相。 在真空的条件下，金属或非金属材料的蒸发与在大气压条件下相比要容易得多。 沸腾蒸发温度大幅度下降，熔化蒸发过程大大缩短，蒸发效率提高。以金属铝为例，在一个大气压条件下，铝要加热到2400?C才能达到沸腾而大量蒸发，但在1.3mPa压强下，只要加热到847?C就可以大量蒸发。 一般材料都有这种在真空下易于蒸发的特性。 ;饱和蒸气压;2.1 物质的热蒸发;元素的质量蒸发速率：;影响蒸发速率的因素： 由于元素的平衡蒸汽压随着温度的上升增加很快，因而对元素的蒸发速率影响最大的因素是蒸发源所处的温度。;二、元素的平衡蒸气压 ; 作为近似，可以利用物质在某一温度时的气化热ΔHe代替ΔH，从而得到物质蒸气压的两种近似表达方式：;说明： 由于使用了近似条件ΔHe=ΔH ，即热焓变化=汽化热，故蒸气压表达式只在某一温度区间才严格成立。 要准确地描述Pe-T的关系，应该将△H写成△H（T ）的函数形式。;2.1 物质的热蒸发;2.1 物质的热蒸发;2.1 物质的热蒸发;? 蒸发源的选择： – 固体源：熔点以下的饱和蒸气压可以达到0.1Pa; – 液体源：熔点以下的饱和蒸气压难以达到0.1Pa; – 难熔材料：可以采用激光、电弧蒸发；;三、化合物与合金的热蒸发 --- 多组元材料的蒸发： ? 合金的偏析：蒸气成分一般与原始固体或液体成分不同； ? 化合物的解离：蒸气中分子的结合和解离发生频率很高； -- 蒸发不发生解离的材料，可以得到成分匹配的薄膜：如 AlN, CaF2, MgF2,…… -- 蒸发发生分解的材料，沉积物中富金属，沉积物化学成分发生偏离，需要分别使用独立的蒸发源；如：Ag2S, Ag2Se, III-V半导体等；; – 蒸发发生解离的材料；沉积物中富金属，需要分立的蒸发源； 硫族化合物：CdS, CdSe, CdTe,…… 氧化物：SiO2, GeO2, TiO2, SnO2, ;2.1 物质的热蒸发;2.1 物质的热蒸发;合金的蒸发： ? 合金薄膜生长的特点：合金薄膜不同于化合物，其固相成分的范围变化很大，其熔点由热力学定律所决定； ? 合金元素的蒸气压： – 理想合金的蒸气压与合金比例(XB)的关系（拉乌尔定律）： PB=XBPB(0) PB(0)为纯元素的蒸气压； – 实际合金的蒸气压：PB=γBXBPB(0) = aBPB(0) – 合金组元蒸发速率之比：;合金薄膜生长的特点：合金薄膜不同于化合物，其固相成分的范围变化很大，其熔点由热力学定律所决定； ;实际合金的蒸气压之比更加偏离合金中的原始组分之比。 PA = ?A ? APA(0) ；PB = ?B ? BPB(0) ； －?A， ?B 分别为元素A、B在合金中的活度系数 合金中A、B组元的蒸发速率之比为 对于初始成分确定的蒸发源，易于蒸发