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第四章发光与耦合器件选编
第四章 发光与耦合器件;一、发光二极管的结构与工作原理
;3、制作材料
(1)直接带(直接跃迁)材料:GaAs、GaN、ZnSe等。
(2)间接带(间接跃迁)材料:GaP
(3)混晶:GaAs1-xPx
4、特点
体积小,耐冲击,寿命长,功耗低,响应快,可靠性高,颜色鲜明&易与集成电路匹配等。
;二、特性参数
(一)效率
(1)用于非显示
功率效率:输入的电功率转换成辐射的功率的效率。;量子效率:注入载流子复合而产生的光量子效率,可分为内量子效率&外量子效率。
内量子效率:辐射复合所产生的光子数与激发时注入的电子空穴对数之比。
外量子效率:射出光子数与注入电子空穴对数之比。
(2)用于显示
照明效率:辐射功率转换成光通量的效率。
流明效率:消耗单位功率所得到的光通量。
;(2)发光光谱
;(三)出光特性;(五)发光亮度与电流的关系;(六)寿命
发光二极管的亮度降低到原有亮度一半时所经历的时间。一般可达十万个小时。
随着工作时间的加长,亮度下降的现象叫老化。它与工作电流密度有关,随着电流密度的加大,老化变快,寿命变短。
(七)响应时间
标志器件对信息反应速度的物理量。即指器件启亮与熄灭时间的延迟。发光二极管的响应时间一般很短。;三、应用
1、数字、文字以及图像显示;2、指示、照明
单个发光二极管可在仪器指示灯,示波器标尺,收音机刻度及钟表中的文字照明等。目前已有双色、多色甚至变色的单个发光二极管。
3、光源
多用于光纤通信与光纤传感器中。
4、光电开关、报警、遥控&耦合;四、国外几种半导体发光二极管的主要参数;第二节 激光器;(二)粒子数反转
在激光物质中,外来的光子可以引起受激辐射,也可能摆受激吸收,而产生激光的必要条件之一就是受激辐射要占主导地位,此时就必须从外部给工作物质输入能量,使处于激发态的载流子多于处于基态的载流子,也就是把载流子的正常分布倒转过来,称之为粒子数反转。
方法:
固体激光器:光谱适当地强光灯;
气体激光器:气体电离;
半导体激光器:注入载流子。;(三)共振腔(增益超过损耗,产生激光振荡);2、纵模频率(共振频率)
共振腔内沿腔轴方向形成的各种可能的驻波叫做共振腔的纵模。
其频率称作纵模频率:;二、激光器的类型
固体激光器:一般采用光激励,功率大,但效率低,多模输出,光的相干性较差,常用于工业加工,如打孔,焊接等;
气体激光器:一般采用电激发,效率高,寿命长,单模输出,光的相干性较高,常用于精密测量,全息照相等;
液体激光器:可调谐,用在光谱学中;
半导体激光器:小巧,耐用,简单,常用于光通信,光信息存储等。;三、气体激光器
1、一般结构;A;G;2、氦氖激光器
发出3种波长的谱线:0.6328um(桔红色),1.15um,3.39um;
工作物质为氦氖混合气;
优点:
单色性好,谱线宽度只有10-17m,相干长度达几十公里;
方向性强,光束发散角很小;
结构简单,稳定性好,性价比高。
;四、固体激光器
1、一般结构;M1;2、红宝石激光器
工作物质为掺有Cr2O3的人造宝石单晶;
辐射波长为694.3nm的激光;
特点:
较高的泵浦能量阈值;
峰值功率可达10~50mw,脉宽为10~20ns;
三能级系统
;五、半导体激光器;3、主要特性
(1)激光阈值条件及影响阈值得因素;阈值电流;(2)频谱分布;相对强度;4、异质结激光器
(1)单异质结激光器
在GaAs的PN结上,用分子束外延和液相外延法得到GaAs-AlxGa1-xAs异质结。由于GaAs&AlxGa1-xAs禁带宽度不同,因而在界面出形成了较高势垒,使从N-GaAs注入到P-GaAs中的电子在继续向P-AlxGa1-xAs扩散时受到阻碍,同没有这种势垒存在时比较,P-GaAs层内的电子浓度增加,辐射复合的几率也提高了。再者,P型铝镓砷对来自P型GaAs的发光吸收系数小,损耗也较小。由于铝镓砷的折射率较砷化镓低,因而限制了光子进入铝镓砷区,使光受到反射面局限在P-GaAs区内,从而少了周围非受激区对光的吸收。由于电子&光子在异质结面上都受到了限制,减小了损耗,因而降低了阈值。其结构图&能带图如下:;P-AlxGa1-xAs;(2)双异质结激光器
在GaAs的一侧为N型AlxGa1-xAs,另一侧为P型AlxGa1-xAs,加正向偏压时,电子注入作用区到达P-GaAs&P-AlxGa1-xAs界面,受到势垒的阻挡而返回,不能进入P型AlxGa1-xAs层中去,从而增加了P型GaAs层中的电子浓度,提高了增益。又由于N型AlxGa1-xAs与P型GaAs之间的势垒避免了单异质结激光器存在地空穴注入现象,使工作区电子,空穴浓度加大,复合几率增加。另外,由于两个界面处折射率都发生较大突变,所以光子被更有效地限制在作用区内。因此,双异质结激光器的阈值电流
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