等离子体刻蚀选编.ppt

等离子体刻蚀;目录;什么是等离子体？;等离子体的应用;等离子体的产生;等离子体刻蚀原理;等离子体刻蚀反应;首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。 其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。 生产过程中，CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。;等离子体刻蚀工艺;工艺参数设置;边缘刻蚀控制;刻蚀工艺不当的影响; 在等离子体刻蚀工艺中，关键的工艺参数是射频功率和刻蚀时间。 刻蚀不足：电池的并联电阻会下降。 射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能变差从而使电池的性能下降。其最大影响是会是器件的理想因子“n”增加，因为在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加，从而表现在理想因子的增加。 ;刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合，理想（什么是理想）因子的增加，开路电压和短路电流降低。 射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。 ;检验方法;检验原理;检验操作及判断