薄膜物理与技术-3薄膜的化学制备工艺学选编.pptVIP

薄膜物理与技术;3 薄膜制备的化学工艺学;;;; CVD法制备薄膜过程描述（四个阶段） （1）反应气体向基片表面扩散； （2）反应气体吸附于基片表面； （3）在基片表面发生化学反应； （4）在基片表面产生的气相副产物脱离表面，向空间扩散或被抽气系统抽走；基片表面留下不挥发的固相反应产物----薄膜。;3.2 化学气相沉积（CVD，Chemical Vapor Deposition）;3.2 化学气相沉积（CVD，Chemical Vapor Deposition）;3.2 化学气相沉积（CVD，Chemical Vapor Deposition）;3.2 化学气相沉积（CVD） 3.2.1 CVD的主要化学反应类型;一、热解反应：薄膜由气体反应物的热分解产物沉积而成。 1）反应气体：氢化物、羰基化合物、有机金属化合物等。 2）典型反应： ■ 硅烷沉积多晶Si和非晶Si薄膜： SiH4 (g) ? Si (s) + 2H2 (g) 650~1100 ℃ (氢化物) H-H键能小，热分解温度低，产物无腐蚀性。 ■ 羰基金属化合物低温沉积稀有金属薄膜： Ni(CO)4 (g) ? Ni (s) + 4CO (g) 140~240℃ Pt(CO)2Cl2 (g) ? Pt (s) + 2CO (g) + Cl2 (g) 600℃;■氢化物和金属有机化合物系统： 利用这类热分解体系可在各种半导体或绝缘基板上制备化合物半导体薄膜，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物 ■ 有机金属化合物沉积高熔点陶瓷薄膜： 2Al(OC3H7)3 (g) ?Al2O3(s)+6C3H6(g)+3H2O(g) 420℃ 异丙醇铝 丙烯 M-C键能小于C-C键，广泛用于沉积金属和氧化物薄膜。 金属有机化合物的分解温度非常低，扩大了基片选择范围以及避免了基片变形问题。 ■ 单氨络合物制备氮化物薄膜：AlCl3·NH3 (g) ? AlN (s) + 3HCl (g) 800-1000℃;;;;;;七、 化学合成反应;七、 化学合成反应;;;;3.2 化学气相沉积（CVD） 3.2.3 CVD沉积装置;;;;;;六、有机金属化合物CVD（MOCVD，Metal Organic CVD）： 概念：利用低气化温度的有机金属化合物加热分解而进行气相外延生长薄膜的CVD方法， 主要用于各种化合物、半导体薄膜的气相生长。;六、有机金属化合物CVD（MOCVD，Metal Organic CVD）：;七、等离子体增强CVD（PECVD，Plasma Enhanced CVD）： 1）概述： ① 概念：在低压化学气相沉积过程进行的同时，利用辉光、电弧、射频、微波等手段促使 反应气体放电产生等离子体，从而对反应沉积过程施加影响的CVD技术。 ② 基本特征： ■ 应用等离子体的CVD方法；■ 采用低温等离子体（当地温度?、电子温度??）；■ 沉积时，基片温度很低；■ 薄膜性能比其它CVD方法更佳。;七、等离子体增强CVD（PECVD，Plasma Enhanced CVD）： ④ 等离子体的组成： ⑤ 等离子体的作用：高能自由电子的平均能量达 1~20 eV，足以使大多数气体电离/分解 ? 电子动能 代替 热能 成为主要的气体分解、活化驱动力 ? 粒子相互作用可很快获得高能态、高化学活性和高反应能力， ? 而基片不会因额外加热而受损！ ⑥ PECVD与其它CVD方法的根本区别： 1) 等离子体中的高能自由电子为化学反应提供了激活能 Ea； 2) 气体分子的分解、化合、激发和电离主要来自电子与气体分子的碰撞作用； 3) 低温下即可形成高活性化学基团； 4) 低温薄膜沉积得以实现。 ⑦ 低温实现CVD沉积的好处：可避免;七、等离子体增强CVD（PECVD，Plasma Enhanced CVD）： ⑧ PECVD沉积薄膜的主要微观过程： ⑨ PECVD的分类：;七、等离子体增强CVD（PECVD，Plasma Enhanced CVD）：;七、等离子体增强CVD（PECVD，Plasma Enhanced CVD）：;4）直接